国产闪存芯片自给率有待进一步提升

目前存储市场主流主控芯片仍主要来自于中国台湾或美国等厂商,在全球闪存主控芯片市场占据了主要份额,国产闪存主控芯片自给率有待进一步提升。4、行业主要壁垒构成(1)技术壁垒闪存主控芯片是一个融合硬件、软件、算法以及接口协议等多种功能的复杂SoC芯片系统,芯片设计及固件方案开发等均属于技术密集型工作,涉及高等数...

两会将至,应该重点关注哪些产业投资机会?——全球产业趋势跟踪...

SRAM通常由4-6个晶体管组成一个单元,当该单元被赋予二进制状态之后,会保持状态直到下次被赋予新的信息或者断电之后才会更改。性能方面,相较DRAM(包括HBM)适合用于更高储存密度低成本的应用,SRAM的优势在于适用需要高存取速度、低功耗和易于设计的应用,无需周期性刷新数据。成本方面,虽然目前Grop单卡成本较低,SRAM的...

华强产研|电子产业技术前沿【2024年3月】

Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM产品线3月29日,为满足客户对更大更快的SRAM的普遍需求,MicrochipTechnology(微芯科技公司)扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4Mb,并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口(SPI/SQI)的速度提高到143MHz。新产品线包括提供2Mb和4Mb两种不同容量的器件,...

周末慢读: 英伟达平替 — 美光科技

NOR闪存是另一种非易失性内存技术,与NAND相比,NOR闪存提供更快的读取速度和更好的执行效率,但其成本较高,存储容量相对较低。这使得NOR闪存主要用于需要快速、可靠读取的应用场景,如嵌入式系统、汽车电子和某些移动设备等。美光的NOR闪存产品支持广泛的工业和消费应用,为设备提供了可靠的启动和执行存储解决方案。美光...

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...

三星布局下一代存储:MRAM

综合来说,MRAM集Flash非挥发性技术、SRAM快速读写、DRAM高集积度等特性,堪称[完美内存],甚至可能替代SRAM,未来发展备受业界期待(www.e993.com)2024年11月22日。展望未来,MRAM及STTMRAM有望逐步替代部分NOR闪存和SRAM,甚至在几年内取代部分DRAM。部分资料参考:Andy730:《下一代非易失性内存:MRAM》,半导体行业观察:《MRAM,最被看好!》,电子...

存内计算芯片:What?When?Where?

然而,这项工作的范围仅限于新兴的通用DDR存储系统,从而造成了对基于SRAM的CIM基本计算单元的理解上的空白。我们的工作通过考虑在GPGPU的高速缓存层次结构中的运用CiM基本计算单元,从而填补了这一空白。最近另一项关于内存中模拟与数字计算基准测试的工作[26],基于固定的模拟CiM和数字CiM设计(称为...

MAXQ构架上闪存和SRAM存储器的分配

SRAM数据存储器在存储器映射中位于地址0x0000至0x07FF(字节寻址模式下)或地址0x0000至0x03FF(字寻址模式下)。固定用途ROM在存储器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh(字节模式)或地址0x8000至0x8FFF(字寻址模式下)。表1.从闪存执行应用代码时的数据存储器映射...

3D XPoint——是NAND闪存杀手还是DRAM的替代品?

2015年,作为自NAND闪存以来的首项新型非易失性,规模化存储技术,3DXPoint由开发伙伴英特尔和美光首次发布,当时称其速度和耐久性都是NAND闪存的1000倍,引起巨大轰动。但后来证实这个性能比只是理论上的,3DXPoint的实际测试结果是比NAND的速度快10倍,后者需要在新数据写入之前擦除现有数据。此外,这个新的固态存储器...

...545s-Intel,SSD,SSD 545s,固态硬盘,闪存,64层堆叠 ——快科技...

顺带一提,Intel的第一代3D闪存是32层堆叠的,只在其首款M.2NVMeSSD600p里用过,没有进入SATASSD。SSD545s的主控依然来自慧荣,换成了升级版SM2259,不过SATA6Gbps接口也就那样了,所以新主控变化不大,只是加入了对端到端数据保护和ECC的支持(主控SRAM和外部DRAM均有),稳定性更好,同时搭配Intel定制固件。