【头条】国产最大容量新型存储器芯片问世;

近日,武汉光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)宣布其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且存储时读、...

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

首先，容量方面，存储芯片的容量是一个非常关键的指标，它决定了芯片能够存储的数据量，而NM101的容量高达64GB，这在存储芯片领域是一个相当巨大的突破。其次，存储速度也是存储芯片的重要指标，它决定了芯片能够多快地将数据存储或读取，对用户体验有着直接的影响。NM101的存储速度提升了整整十倍，这意味着用户在使用...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

随着过去十年便携式系统市场的迅速扩张，半导体行业对大容量非易失性存储器（NVM）技术越来越感兴趣。市场对更高效率、更快内存访问速度和更低功耗的需求持续推动着NVM技术的进步。预计2024年全球非易失性存储器市场规模将达到约945.2亿美元，2029年将扩大至1647.9亿美元，在此期间将以11.76%的复合年增长率持续增...

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

IT之家10月8日消息,参考IT之家此前报道,新存科技9月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达64Gb。新存科技官网现在公布了NM101芯片的参数情况:可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口...

大为股份:随着AI等应用情境的发展,需要搭载更大的存储容量以提升...

截至目前,大为创芯暂未涉及HBM产品,大为创芯将保持对该技术的持续关注。随着AI等应用情境领域的发展,需要搭载更大的存储容量以提升处理速度,大为创芯将把握AI行业机遇,努力拓展业务空间。感谢您的建议。"

内存的基本知识与优化技巧解析|硬盘|速度|存储器|dram_网易订阅

缓存则分为一级缓存(L1)、二级缓存(L2)和三级缓存(L3),这些缓存通常比主内存速度更快,有助于减少CPU访问主内存的次数,从而提升整体性能(www.e993.com)2024年12月19日。主内存(RAM)则是运行程序时最常用的中间数据存储区,尽管其访问速度不及缓存,但容量更大。当计算机执行任务时,处理器首先会从寄存器中获取指令,然后通过访问高速缓存来读取...

2025年存储器市场五大展望

01咨询机构TechInsights预测2025年存储器市场将实现显著增长,主要得益于人工智能(AI)及相关技术应用的加速普及。02AI引领高带宽存储器(HBM)需求,预计2025年出货量同比增长70%。03由于AI在各行各业的渗透,高容量固态硬盘(SSD)需求上升,QLC技术将得到更多关注。

铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存,为业界带来领先的2Tb最大容量

此外,铠侠还开发了突破性的CBA(CMOSdirectlyBondedtoArray,外围电路直接键合到存储阵列)技术,以提供更高的位密度和业界领先的接口速度(3.6Gbps)。这些先进技术的应用,共同促成了2TbQLC存储器的诞生,成就了业界容量最大的存储器。全新的第八代BiCSFLASH2TbQLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCSFLASH...

【研报】HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

非易失性存储器以NANDFlash为主2024年NANDFlash市场规模预计为656.1亿美元。NANDFlash是非易失性存储的一种,相较于其他非易失性存储产品,NANDFlash具有存储容量大、读写速度快、功耗低、单位成本低等特点,主要应用于有大容量存储需求的电子设备。据中商产业研究院预测,2024年NANDFlash市场规模为656.1亿美...

新兴存储,冰火两重天

高速读写:FeRAM的读写速度相对较快,存取时间通常在50ns左右,循环周期约为75ns,这使得它在需要快速数据访问的场合具有优势;寿命长:FeRAM具有较高的读写耐久性,通常能够达到数十亿次的读写循环,远超过传统的EEPROM和闪存;低功耗:由于FeRAM在存储数据时不需要额外的电源来维持数据状态,因此功耗相对较低;...