合肥智芯半导体申请FIFO存储器读写处理电路和芯片专利,提高FIFO...

所述FIFO存储器读写处理电路包括:写操作控制模块、读操作控制模块、可配置模块、空满状态判断模块和双端口存取的FIFO存储器,其中,写操作控制模块用于控制通信模块的写接口的工作,读操作控制模块用于控制通信模块的读接口的工作,可配置模块用于配置时钟同步和分配每个通信模块在FIFO存储器中的地址范围,空满状态...

华为申请薄膜晶体管、存储器及电子设备专利,减小接触电阻增大薄膜...

通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

●高速读写:FeRAM能够实现纳秒级的数据读写速度,这在需要快速存取数据的应用中极为关键。例如,在智能电网或工业自动化控制中,数据存储的延迟可能导致系统反应滞后,而FeRAM的高读写速度确保了数据的及时传输。●高耐久性:FeRAM具有超高的写入耐久性,读写次数达到1013到1014次,几乎可视为无限次写入。这种特性在需要...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

此类内存以其超快的读写速度、出色的写入耐用性和低功耗而闻名。FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能...

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

快科技10月2日消息，据媒体报道，新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望结束国际巨头的长期垄断局面(www.e993.com)2024年11月22日。新存科技总经理刘峻透露，“NM101”芯片的容量达到64GB，是国内同类产品的数十倍，同时支持随机读写。与国内现有同类产品相比，其存储速度提升了10倍以上，使用寿命增加了5倍，意味...

国产最大容量新型存储器芯片面世

新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且存储时读、写均比目前国内同类产品提速10倍以上,寿命还增加了5倍。使用“NM101”芯片制造的硬盘,存入一部10GB的高清电影仅需1秒。

深圳佰维存储取得存储器的读写处理专利 快报

深圳佰维存储取得存储器的读写处理专利快报2024-10-1615:52:28金融界灵通君北京举报0分享至0:00/0:00速度洗脑循环Error:Hlsisnotsupported.视频加载失败金融界灵通君61粉丝金融界旗下账号00:46上海电影法定代表人变更为王隽快报00:45宏达股份法定代表人变更为乔...

新存科技发布国内最大 64Gb 单芯片容量 3D 新型存储器芯片 NM101

NM101基于新型材料电阻变化原理,采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件,单芯片容量达64Gb。新存科技NM1013D存储器芯片支持随机读写,较市面已有大容量非易失性产品读写均提速10倍以上的同时寿命也增加了5倍,能大幅提升系统解决方案的性能。

打破国际垄断!国产容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

据悉,新存科技研发出国内容量最大的NM101三维存储芯片,标志着国产存储技术迈出重大一步,有望打破国际巨头的垄断。新存科技总经理透露,NM101芯片容量达64GB,是国内同类产品的几十倍,且支持随机读写。与现有产品相比,其存储速度提升10倍,使用寿命增加5倍,可实现高速存储。