【上调】传东友精密化学将上调光刻胶价格,幅度最高达20%;澎湃微...
光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。电子材料市场研究机构TECHCET数据显示,光刻胶市场预计将在2024年反弹,同比增长7%,市场规模达到25.7亿美元;2022-2027年间复合年增长率为4.1%。TECHCET指出,受先进逻辑工艺与存储器等新技术驱动,增长最快的细分...
等离子体去除光刻胶,你了解多少?
光刻胶去除是微加工工艺过程中非常重要的环节,光刻胶是否彻底去除干净、对样片是否有造成损伤,都会直接影响后续集成电路芯片制造工艺效果。在现代半导体生产过程中,会大量使用光刻胶来将电路板图图形通过掩模版和光刻胶的感光与显影,转移到晶圆光刻胶上,从而在晶圆表面形成特定的光刻胶图形,然后在光刻胶的保护下,...
超声波技术在半导体行业中的应用-光刻胶喷涂
经曝光之后,胶会产生化学反应,从而导致溶解度发生变化。利用这种性质,通过带有特定图形的掩膜就可以在基板上得到特定的图形。我们首先将光刻胶涂覆到半导体材料上,经过曝光显影后,留下的光刻胶部分相当于对底层进行保护,之后用蚀刻剂进行蚀刻,最终达到将掩膜版上特定的微细图形转移到衬底上的目的,因此光刻胶是微细加...
光刻胶市场明年或迎反弹,中国有望承接光刻胶产业转移
需要说明的是,光刻胶的质量和性能将会直接影响芯片的性能和良率,为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶波长也在不断缩短。按照波长可以划分为G线(436nm)、I线(365nm)、KrF(248nm)、ArF/ArFi(193nm/134nm)、EUV(13.5nm)。根据TECHCET的数据,2020年全球半导体光刻胶市场中,ArFi光刻胶占据的比重是40%,...
技术前沿:半导体光刻
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄;影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):I-line最...
光刻工艺之涂胶问题 - OFweek电子工程网
可能原因:空气中粉尘光刻胶内存在颗粒或气泡衬底上存在颗粒很多情况下多是出现上图这种形状,就是局部涂胶厚度异常,一般是偏薄,出现这种情况一是可能表现有颗粒,二是旋转涂胶时发生异常,可以调节转速和加速度(www.e993.com)2024年8月14日。三是检查一下光刻胶是否存放过期。滴胶也分为几种,有静态涂胶、一般适合黏度较低的胶水,有边旋转边涂...
EUV光刻机,大结局?
1.缩短曝光波长;2.增大投影光刻物镜的数值孔径NA;3.减小光刻工艺因子。除了分辨率之外,焦深DoF也是一个关键参数。在实际的光刻过程中,光刻机镜头会有一个焦点,而在这个焦点的周围存在一个晶片表面可以在垂直方向上移动的范围,只要光刻胶(即感光层)的厚度在这个范围内,那么整个胶层都能得到清晰的曝光,不...
容大感光2023年年度董事会经营评述
按照曝光波长,半导体光刻胶可分为紫外宽谱(300-450nm)、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)、电子束光刻胶等品类。二、报告期内公司从事的主要业务(一)公司主要业务公司的主营业务为PCB光刻胶、显示用光刻胶、半导体光刻胶及配套化学品等电子感光化学品的研发、生产和...
什么是lift off工艺?
影响lift-off工艺的因素通过上面的描述,不难理解lift-off工艺的实现过程,但是这里面有一些细节,决定这lift-off工艺的成败与否。1.光刻胶的厚度由上述定义可以看出,光刻胶在lift-off工艺中起到形成图案,以及让光刻胶上的薄膜层以及衬底上的沉积的薄膜层断开,从而实现光刻胶在去胶液中溶解过程中,上层金属...
强力新材2023年半年度董事会经营评述
1、光刻胶专用电子化学品光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模板转移到待加工基片上的图形转移介质,其中曝光是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使光刻胶的溶解度发生变化。光刻胶主要用于微电子领域的精细线路图形加工,是微制造领域最...