...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
本发明通过接触窗中狭窄的未覆盖区域注入离子,形成离子再注入区域和离子再注入扩散区域,在不影响位线接点的电流路径及阻值的前提下,降低了有源区原始掺杂的浓度,减缓了电场强度并改善了漏电。
常关的n-ZnOp金刚石异质结场效应晶体管,具有凹栅和电流分布层
n-ZnO/p和p金刚石的掺杂浓度和厚度对阈值电压和击穿电压都有显著影响。此外,由于沟道层上的损耗能力增强,通过引入凹槽栅极可以进一步提高阈值电压。虽然增强电场的导通调制降低了导通电阻,但凹槽栅极的击穿电压明显降低了电学性能。最后,在源极和漏极之间增加一个电流分布层,以降低HJ-FET的导通电阻。优化后的金刚石HJ...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其四,掺杂引起的杂质和缺陷:掺杂过程中可能会引入杂质和缺陷,这可能会在一定程度上影响纳米管的导电性能。所以,需要找到新的掺杂方法,以便最大程度地降低对于碳纳米管结构的不利影响。其五,工艺一致性:在制造过程中保持一致的工艺条件,对于掺杂的成功起着重要作用。温度、化学气体或其他制造参数的变化,可能会导...
科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...
其四,掺杂引起的杂质和缺陷:掺杂过程中可能会引入杂质和缺陷,这可能会在一定程度上影响纳米管的导电性能。所以,需要找到新的掺杂方法,以便最大程度地降低对于碳纳米管结构的不利影响。其五,工艺一致性:在制造过程中保持一致的工艺条件,对于掺杂的成功起着重要作用。温度、化学气体或其他制造参数的变化,可能会导致掺杂...
《麻省理工科技评论》“35岁以下科技创新35人”亚太区新一届入选...
这些核酸适配体经过专门设计,可在捕获目标时发生结构变化,从而移动带有负电荷的DNA骨架。电荷重排转换为晶体管电阻的变化,从而以电信号的形式来测量。这种机制有效地克服了电子生物传感器在复杂生物流体中的两个主要缺点:高盐溶液中的离子屏蔽效应,以及大多数传感器所面临的非特异性结合问题。
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
定义精确的电路图案:在光刻和显影步骤后,刻蚀步骤可以将设计好的图案转移到晶圆表面,用于制造导线、晶体管和其他电子元件的结构(www.e993.com)2024年10月4日。刻蚀精度直接影响到电路的线宽和间距,这对器件性能至关重要。去除不需要的材料:在多层结构中,刻蚀可以选择性地去除某些层,以形成多层结构的特定部分,如金属互连、绝缘层或衬底。这种选择性...
半导体第三方检测分析能力提升建设项目可行性研究报告
电子束扫描成像分析是观测半导体样品形貌结构的重要手段,但在观测过程中,芯片封装或失效样品制备引入的非导体材料的不导电特性形成的电荷堆积可能导致图像失真与分辨率降低,极端情况可能导致样品受损。针对该类问题,常规处理方法需对样品表面喷金等预处理或进行低电压扫描,此类处理可能破坏芯片的原始状态或影响分辨率。公司...
5秒钟,一篇Nature Chemistry!|材料|试剂|化物|单晶|原子_网易订阅
FWF合成的材料在电性能上表现出优异的半导体特性,如MoSe2和WSe2薄片分别展现出n型和p型行为,而α-In2Se3显示出n型铁电特性(图4)。这些材料被制成场效应晶体管(FET)器件,并通过ADF-STEM和EDX分析,证实了其层状结构和均匀的原子分布。电性能测试表明,MoSe2和WSe2具有高开/关...
国科大张凤娇/化学所狄重安合作,Nature Nanotechnology之后,再发...
受限掺杂可产生56nm的出色分辨率,横向延伸掺杂长度低至9.3nm。他们揭示了掺杂分辨率对温差(Tg??????T)的普遍指数依赖性,可用于描述几乎无限的聚合物半导体的掺杂分辨率。此外,他们还展示了其在一系列聚合物电子器件中的应用,包括性能增强200%的有机晶体管和无缝结宽度<100nm的横向p-n二极管。结合纳米级掺杂...
二极管(2)二极管的分类
点接触型??极管是一种最早期的半导体器件之一,也被称为晶体管的前身。它是由德国物理学家卡尔·费迪南德·布劳恩(KarlFerdinandBraun)于1874年首次发现。点接触二极管由两个不同材料的半导体片组成,其中一个是n型(电子掺杂)半导体片,另一个是p型(空穴掺杂)半导体片,它们通过一个极小的点接触而连接。