碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题IGBT的主要参数:1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半...

追问weekly | 过去一周,脑科学领域有哪些新发现?

同时,进一步的单神经元记录实验显示,OFC的自上而下调控增强了aVTC神经元中的记忆相关信号,但对感知相关信号没有影响。这表明,OFC通过对aVTC的调控,显著影响了视觉对象记忆的表现,且这一发现对理解人类记忆缺陷,如痴呆症,具有重要意义。研究发表在NatureCommunications上。#神经科学#NatureCommunications#视觉记忆...

一文搞懂IGBT

1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...

新洁能2023年年度董事会经营评述

3)具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低26%,代表产品已完成车规认证,正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展;4)上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化...

基础知识之晶体管

MetalOxideSemicONductor的简称,因其构造分别是金属(Metal)、硅酸化膜(Oxide)、半導体(SemicONductor),故称MOS(www.e993.com)2024年11月11日。MOS还分为P型、N型、C型,因为消费电流小,用于微控制器等集成度高的IC。2、按功率分主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管,一般功率晶体管的功率...

Mos管被静电击穿的原因分析及解决方案

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,...

MOS管知识最全收录

图表1MOS管的4种类型每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时,对于N沟道的电源输入为D,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。图表2MOS管内部结构图...

开关电源各处损耗:MOS传导损耗、二极管传导损耗、开关动态损耗...

对于小尺寸、额定电压较低的硅二极管,导通压降一般在0.7V到1.5V之间。二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间,大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR,这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分,分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管,反向恢复时间随着速度的提高而降低。快恢复...

干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录

每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时,对于N沟道的电源输入为D,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。图表2MOS管内部结构图从结构图可发现,N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上...