石墨烯纳米通道中温度相关的水滑移流与毛细蒸发相结合
在我们的测量结果中观察到的滑移长度的沟道深度依赖性可以通过随着沟道深度减小而增加的水分子和石墨烯之间的EDL相互作用来阐明。所研究的通道深度明显小于德拜水的长度,约为1um。然而,考虑到我们研究的样品数量和沟道深度有限,我们不能忽视污染、表面电荷变化以及石墨烯与底层衬底之间接触质量的影响。图3水滑移长度...
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
事实证明,对于短沟道晶体管,在晶体管内可以实现少数载流子的最大速度。这被称为饱和速度。这限制了某些器件的VGS和VDS电流的增加,因为最终它们的驱动电流达到最大值。此外,随着电场的继续增加,这些载流子的迁移率降低,导致这些极高电压下的驱动电流减小。这种短沟道效应是现代晶体管行为的许多方面之一,我们无法通过前...
【综述】碳化硅中的缺陷检测技术
生长过程中的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和晶圆表面,形成各种表面缺陷,包括胡萝卜缺陷、多型夹杂物、划痕等,甚至转化为产生其他缺陷,从而对器件性能产生不利影响。图3SiC晶圆中出现的各种缺陷。(a)碳化硅缺陷的横截面示意图和(b)TEDs和TSDs、(c)BPDs、(d)微管、(e)SFs、(f)胡萝卜缺陷、(g)多型夹杂物...
中国学者一作,最新Nature:晶体管的未来!
MOSFET的低功耗优点开始受到漏电流的影响,漏电流主要来自四个来源(机制如图3b所示);(4)可变性问题:大规模CMOS制造本质上是不完美的,同时微缩不可避免地会引入沟道和电介质厚度、沟道长度、掺杂剂密度、栅极材料粒度等方面的变化;(5)可靠性问题:在超大规模MOSFET中,垂直和横向电场都会变得更强,这不可避免地会给...
钻石芯片,技术实现|电阻_新浪财经_新浪网
由于沟道电导率的增加,栅极振幅越大,开关速度越快。通过优化器件几何形状,例如减小漂移区空间和栅极长度,工作频率可以超过兆赫兹范围,轻松满足辐射探测器和MEMS传感器的混合信号电路的要求。此外,n型金刚石可以稳定带负电的氮空位(NV-)态,大大提高灵敏度。因此,金刚石CMOS集成NV中心有利于金刚石自旋电子器件的...
她,读博七年,成果终登Nature Materials!|离子|栅极|晶体管|电化学...
作者通过操作显微技术对OECT开关行为的影响因素进行了研究,发现短通道长度、薄聚合物层和高栅极电位(而非漏极电位)有助于加快设备切换速度(www.e993.com)2024年7月30日。从材料角度看,提高离子浓度、选择更具混沌效应的反离子或设计具有更高离子传导能力或更刚性主链的聚合物能够加快离子注入速度并最小化聚合物结构松弛。此外,作者还注意到,当栅极...
...Electronics》:单原子层厚!沟道长度仅0.65 nm的场效应晶体管器件
相比之下,传统平面结构的短沟道器件通常采用复杂的紫外光刻技术,其分辨率超过10纳米,因此沟道长度更大。此外,垂直晶体管结构还可以通过范德瓦尔斯集成实现多重堆叠,这为器件和电路级别的三维集成提供了新思路。然而,由于高能金属化过程中,往往会造成接触区域的损伤,因此短沟道垂直器件极难制造。
栅极长度缩放超出硅的 FET 对短沟道效应具有鲁棒性
由于栅极几乎短路,大约25%的双栅极器件会“失效”,同时,20%的器件会遭受高栅极漏电。55%的器件表现出高均匀性和极低的栅极泄漏。此外,由于引脚之间的平均距离,针孔可能会包含在部分器件的沟道区域内,这可能会导致栅极泄漏故障。很明显,无针孔“薄双层”ALD氧化膜具有高内在质量,这是基于该组器件的低均匀...
湖南大学让晶体管小至3纳米,沟道长度仅一层原子
在栅极接电后,它能够将P区中的电子吸引到两块N型半导体之间,从而在源极和漏极之间形成了沟道。在宽度不变的条件下,沟道长度(L)越短,开关的速度越快。如今,新研究让这一数值小至0.65nm,这无疑是一项重大突破。简单来说,研究人员采用了范德华(vdW)金属电极集成方法,以二硫化钼(MoS2)作为半导体沟道的薄层甚...
湖南大学研制成功1nm物理沟道长度垂直晶体管,芯片性能或将进入新...
在传统水平器件结构中,这种金属制备过程中的接触损伤和非理想金属半导体界面并不会破坏到本征沟道区域,因此也不会影响到其电学性能。但在垂直晶体管中,金属半导体接触基本代表了整个沟道,对接触区域的损伤会严重影响并控制整体器件的载流子传输(如上图中的不完美界面)。这是垂直晶体管或其他垂直异质结器件微缩的重要挑战...