科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其四,掺杂引起的杂质和缺陷:掺杂过程中可能会引入杂质和缺陷,这可能会在一定程度上影响纳米管的导电性能。所以,需要找到新的掺杂方法,以便最大程度地降低对于碳纳米管结构的不利影响。其五,工艺一致性:在制造过程中保持一致的工艺条件,对于掺杂的成功起着重要作用。温度、化学气体或其他制造参数的变化,可能会导...
科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...
其四,掺杂引起的杂质和缺陷:掺杂过程中可能会引入杂质和缺陷,这可能会在一定程度上影响纳米管的导电性能。所以,需要找到新的掺杂方法,以便最大程度地降低对于碳纳米管结构的不利影响。其五,工艺一致性:在制造过程中保持一致的工艺条件,对于掺杂的成功起着重要作用。温度、化学气体或其他制造参数的变化,可能会导致掺杂...
常关的n-ZnOp金刚石异质结场效应晶体管,具有凹栅和电流分布层
n-ZnO/p和p金刚石的掺杂浓度和厚度对阈值电压和击穿电压都有显著影响。此外,由于沟道层上的损耗能力增强,通过引入凹槽栅极可以进一步提高阈值电压。虽然增强电场的导通调制降低了导通电阻,但凹槽栅极的击穿电压明显降低了电学性能。最后,在源极和漏极之间增加一个电流分布层,以降低HJ-FET的导通电阻。优化后的金刚石HJ...
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
而受主掺杂可补偿氧化镓中的载流子,在氧化镓材料中实现电流阻挡层,这为实现增强型场效应晶体管提供了新的思路。氧化镓中形成电流阻挡层的主流方法包括氧气氛围高温退火、镁元素掺杂及氮元素掺杂。但在目前的研究中,电流阻挡层的漏电特性仍不理想,导致器件在关断状态下泄漏电流较高,容易造成器件的提前击穿。该工作采用...
全球芯片关键技术研究最新进展
经过研究人员测量发现,在不同硼浓度及不同温度条件下,对碳化硅器件的影响:通过改变硼扩散温度(900至1150°C),成功调控了BDL(硼扩散层)中硼的浓度;通过改变硼浓度,BDL900样品的Dit(界面态密度)比NO1150样品低,尤其在导带边缘附近,Dit降低了约70%,显示高硼浓度对浅能级Dit的钝化效果显著。
钻石芯片,技术实现|电阻_新浪财经_新浪网
然而,由于n型沟道MOS场效应晶体管(MOSFET)的挑战,金刚石CMOS从未实现(www.e993.com)2024年9月11日。在这里,我们基于step-flownucleation模式制造了具有原子级平坦表面的电子级磷掺杂(phosphorus-doped)n型金刚石外延层。因此,展示了n沟道金刚石MOSFET。n型金刚石MOSFET在573K时表现出约150cm2V-1s-1的高场效应迁移率,这...
聚集诱导发光:从“一种奇特的实验现象”到“中国原创的科学领域”
而有机荧光材料具有原料来源广泛、种类丰富多样、结构和性质易调节、加工性能好、生物相容性好及材质轻薄柔性等优点,广泛应用于光电显示、化学/生物传感、生物成像、有机激光、发光场效应晶体管及防伪打印等领域。传统的有机荧光材料通常在稀溶液中即溶解状态下展现较好的发光性能,而一旦浓度增加或受到溶剂影响而聚集成...
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
体效应对模拟设计有很大影响——堆叠晶体管是非常流行的,这会导致体效应以一种非平凡的方式改变阈值电压。信道长度调制理论上,饱和状态的晶体管应作为具有无限输出电阻的理想电流源。实际上,当沟道收缩时,VDS仍对漏极电流有影响,因此晶体管的输出电阻虽然很大,但仍然是有限的。这是由于一种称为沟道长度调制的...
功率MOSFET基本结构:超结结构
超结结构高压功率MOSFET管需要制作贯穿整个芯片厚度P柱,生产工艺比较复杂,单元一致性较差,雪崩能量不容易控制;超结结构必须严格控制P柱区与外延层N区浓度和宽度,否则二侧不对称耗尽导致中间电荷不平衡,影响超结结构耐压。外延层N掺杂浓度越高,影响越大。
钻石芯片,首次实现|栅极|电阻|金刚石|外延层|mosfet_网易订阅
然而,由于n型沟道MOS场效应晶体管(MOSFET)的挑战,金刚石CMOS从未实现。在这里,我们基于step-flownucleation模式制造了具有原子级平坦表面的电子级磷掺杂(phosphorus-doped)n型金刚石外延层。因此,展示了n沟道金刚石MOSFET。n型金刚石MOSFET在573K时表现出约150cm2V-1s-1的高场效应迁移率,这...