翠展微:IGBT模块关断电阻对关断尖峰的非单调性影响
这个规律从NPT型IGBT到FS型IGBT一直都非常直接且有效,但是现在器件渐渐切换至沟槽栅(Trench)IGBT,从关断损耗来看电阻对关断的影响已经大幅减弱(图1),但是关断电阻对于Trench结构IGBT的影响不仅仅是单纯的减弱。图1:FSIGBT与Trech-FSIGBT开关损耗随电阻变化曲线图2为一款具有Trench结构的IGBT模块在相同的电压电流下...
如何设计一个三极管放大电路
01本文引用地址:分析设计要求电压增益可以用于计算电压放大倍数;最大输出电压可以用于设置电源电压。输出功率可以用于计算发射极电流;...
什么是共射放大器?手把手教你设计共射放大器
当输入电压变化△vi时,会引起发射极电流产生交流变化△ie。由于基极发射极压降是恒定的,它对交流变化没有贡献,所以△ie=vi/RE。因此,发射极交流输出电压可以确定为vo=△ieRC=vi·RC/RE,交流增益为Av=RC/RE。这个结论可以快速分析共射极电路的放大倍数。输出电源轨分别为VCC和VE,由工作时晶体管的电流特性决定...
硬件工程师必知的几十个电路设计问答
共基放大电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当,频率特性是三种接法中最好的电路。常用于宽频带放大电路。共集放大电路只能放大电流不能放大电压,是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级,在功率...
基础知识之晶体管
现在,我们使用图1和图2更详细地讲解一下晶体管的放大原理。流经集电极的电流是与输入电压e和偏置电压E1构成的基极-发射极间电压(VBE)成正比的电流(IB)的hfe*1倍电流(IC)。随着该集电极电流IC流过电阻器RL,在电阻器RL两端出现IC×RL的电压。最终,输入电压e被转换(放大)为电压ICRL并在输出中体现出来。※1:...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
关于三极管的一个神奇之处是,当你对基极施加电压,以让少许基极电流通过发射结时,它允许更大的集电极流流向发射极,而集电极电流将比基极电流高出很多倍,通常是100到200倍(www.e993.com)2024年8月16日。这个因子被称为β,有时它写成hfe。所以,一小部分基极电流可以导致一个较大的集电极电流流,也就是放大。
半导体芯片,到底是如何工作的?
弗莱明的二极管,结构其实非常简单,就是真空玻璃灯泡里,塞了两个极:一个阴极(Cathode),加热后可以发射电子(阴极射线);一个阳极(Anode),可以接收电子。旁热式二极管玻璃管里之所以要抽成真空,是为了防止发生气体电离,对正常的电子流动造成影响,破坏特性曲线。(抽成真空,还可以有效降低灯丝的氧化损耗。)...
光耦电流传输比(CTR)对开关电源的影响
光耦电流传输比(CTR)对开关电源的影响光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。CTR电流传输比(Current...
共发射极放大器的主要特性
共发射极放大器具有电压放大作用,同时输出信号电压与输入信号电压反相,这一特性要牢记,在分析振荡器和负反馈放大器时非常有用。如下图所示是共发射极放大器输出信号电压和输入信号电压反相特性示意图。03共发射极放大器输出电阻大小适中共发射极放大器的输出电阻不是最大也不是最小。
硬件设计基础60问|电容|电阻|阻抗|放大器|电磁干扰_网易订阅
磁珠由导线穿过铁氧体组成,直流电阻很小,在低频时阻抗也很小,对直流信号几乎没有影响。在高频(几十兆赫兹以上)时磁珠阻抗比较大,高频电磁场在铁氧体材料上产生涡流,使高频干扰信号转化为热量消耗掉。磁珠常用于高频电路模块的电源滤波和高频信号回路滤波,抑制EMI干扰。