【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗高临界击穿电场的特性使其能够将MOSFET带入高压领域,克服IGBT在开关过程中的拖尾电流问题,降低开关损耗和整车能耗,减少无源器件如电容、电感等的使用,从而减少系统体积和重量;3)更大禁带宽度,...
【光大激光】技术丨浆料流变特性对锂电池性能有何影响?
如果在涂层的其他位置出现拖尾现象,不能裁切,在该位置的活性物质减少,会导致局部电压过大。另外,在涂布过程中,还有可能会出现涂层边缘虽然齐平,但是边缘处的局部厚度过高,这会导致在压实过程中压力分布不均,电池极片的孔隙度和单位面积的容量就会不均一。还有会影响到卷绕或者叠片的层数。图1典型的正负极电池浆...
央行行长周小川在北京金融博览会开幕式上讲话
在数学上或曲线包络上可以作成阶梯锐截止型授权,这与长拖尾遥截止型授权的总体风险控制效果是一样的,当然需要更复杂的计算技艺,但它对基层行的机制建设就不同了。重要的问题还是经济形势的变化,也就是小企业的作用越来越重要,特别是在就业和出口方面,国内大企业的很多部件供给也都是靠小企业、靠新创企业。资本市...
碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,衬底切片设备加速国产化
在650V以上高压下,Si材料导通电阻很大,因此常采用IGBT结构调制电导率以降低导通电阻,缺点是在关断时产生拖尾电流,开关损耗较大。SiCMOSFET继承了硅基器件的优异特性,关断损耗和导通损耗很小,同时由于漂移层更薄、导通电阻极低、耐压性更好,不会产生拖尾电流,而且可以实现高频驱动,有利于电路节能和散热设...
半导体行业深度报告:多维度复盘产业发展碎片化场景下辅芯片受益
IGBT中,由于少数载流子积聚使得其在关断时存在拖尾电流,继而产生较大的开关损耗,并伴随发热。而SiC是具有快速器件结构特征的多数载流子器件,开关关断时没有拖尾电流,开关损耗减少74%。碳化硅的加入还可使得系统整体成本下降,以22kW双向OBC为例,SiC系统成本与Si相比,减少了15%;同时能量密度是Si系统...
碳化硅行业专题研究报告:新能源汽车、光伏驱动行业成长
3低能量损耗(www.e993.com)2024年9月16日。SiC具有2倍于硅的饱和电子漂移速率,相较于硅材料具有极低的导通电阻,导通损耗低;同时,SiC具有接近3倍于硅的禁带宽度,泄漏电流比硅器件大幅减少,能够进一步降低功率损耗;此外,SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,开关损耗低,大幅提高实际应用的开关频率。
碳化硅SiC行业研究:把握碳中和背景下的投资机会
同时,SiCMOSFET属于单极器件,不存在拖尾电流,且较高的载流子迁移率减少了开关时间,开关损耗因此得以降低。根据Rohm的研究,相同规格的碳化硅MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大减低73%。3)涵盖MOSFET自身特点,较IGBT具备高频优势。此外,据Wolfspeed研究显示,相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基...
功率半导体行业深度报告:新能源需求引领,行业快速发展
②在封装工艺中,裸片会进行器件封装或模组封装或集成封装,裸片若经过器件封装会形成功率分立器件,若经过模组封装会形成功率模组。由于功率半导体工作环境极端,对可靠性和寿命等要求较高,因此封装技术同样是影响器件性能的核心因素之一。最后成型的功率器件会用于各类终端,功率分立器件主要用于消费电子、家用电器等...
第五届“6·18”国外电子信息产业项目成果
有必要指出的是,如果没有设备市场和半导体设备的基础半导体多晶硅的生产,就不可能存在半导体原料市场。在世界范围内,工业生产的半导体多晶硅是由冶金硅生产而成的。根据氯化技术,首先使用无水氯氢对碎冶金硅进行氯化,净化合成氯硅烷中的附带氯硅烷、多氯硅烷、氧氯硅烷和包含在源冶金硅中各种成分的混合物后,使用氢对...
半导体行业深度报告:多维度复盘产业发展,碎片化场景下辅芯片受益
IGBT中,由于少数载流子积聚使得其在关断时存在拖尾电流,继而产生较大的开关损耗,并伴随发热。而SiC是具有快速器件结构特征的多数载流子器件,开关关断时没有拖尾电流,开关损耗减少74%。碳化硅的加入还可使得系统整体成本下降,以22kW双向OBC为例,SiC系统成本与Si相比,减少了15%;同时能量密度是Si系统...