国芯思辰|国产铁电存储器SF25C20( MB85RS2MT)用于输液泵和呼吸机

目前，传统的EEPROM和闪存写入周期耐久度有限，而一些医疗设备需要可靠地存储随时更新的数据日志，例如医疗输液泵和呼吸机。国产铁电存储器SF25C20的存储单元可用于100万次读写，数据保持：10年@85℃（200年@25℃），这样的耐久度使这些医疗设备记录更多的用户数据。此外，即时非易失性也是SF25C20技术的另一大重要特...

华为公司申请铁电存储器及其制备方法、电子设备专利,可提高铁电...

金融界2023年12月15日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“铁电存储器及其制备方法、电子设备“,公开号CN117241589A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本申请提供了一种铁电存储器及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,可提高铁电存储器的使用寿命。铁电存储器包括铁电电容,铁电电容包...

中国科学家开发出‘无疲劳铁电材料’!存储芯片擦写寿命突破无限...

研究发现,滑移铁电性质在极化切换过程中电荷缺陷不会聚集固定极化,且具有极低的切换势垒,这使得其表现出了显著的抗疲劳特性,与脉冲宽度无关。这一发现不仅深化了对铁电材料本质的理解,还为铁电存储器件和类脑智能器件的设计与优化提供了新的思路和可能性。未来,可以进一步探索滑移铁电性质在其他二维和层状材料中的应...

新兴存储,冰火两重天

富士通拥有适用于汽车和工业应用的高速铁电存储器产品,从开始交付给工业市场已超过20年;德州仪器提供基于FeRAM的微控制器,用于物联网设备和可穿戴设备;IBM为服务器应用提供铁电存储器技术;英飞凌则专注于为汽车和工业控制系统提供铁电存储器解决方案。2023年12月,美光在IEEEIEDM会议上披露其32Gb3DNVDRAM研发成果...

存储芯片,中国什么时候能成?

新型存储器方面,目前主要有4种,分别是:阻变存储器(ReRAM/RRAM)、相变存储器(PCRAM)、铁电存储器(FeRAM/FRAM)、磁性存储器(MRAM,第二代为STT-RAM)。据Yole统计,预计2026年新型存储器在全球市场份额的占比将上升到3%[1]。资料来源:Yole,果壳硬科技...

2023全球闪存峰会热门话题之存储新器件

3.铁电存储器(FeRAM)FRAM技术是利用铁电晶体材料电压与电储(www.e993.com)2024年11月17日。流关系具有滞后回路的特点来实现信息存储,铁电材料可同时用于电容器和CMOS集成电路栅氧化层的数据存储。具有读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高的特点。其写入次数高达1014次,数据保存能力可达10年。而且,FeRAM的写入操作不需要擦除整个扇区,因此数...

新型存储器专题交流纪要

整个存储市场在2022年总规模达到1334亿美金，占到整个集成电路市场的23%，是集成电路里最大细分领域，所以整个存储器的涨跌，会极大影响整个半导体市场的表现，堪比CPI，ChinaPigindex。上一轮的存储大周期是从2015年-2018年智能手机爆发式增长大年带起来的节奏。2018年巅峰期整个存储行业市场规模超过1700亿美金，但是...

ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?-钛媒体官方网站

铁电存储器(FRAM或FeRAM,FerroelectricRAM)FRAM并非使用铁电材料,只是由于存储机制类似铁磁存储的滞后行为,因此得名。FRAM晶体材料的电压-电流关系具有可用于存储的特征滞后回路。图5:FRAM原理(资料来源:ObjectiveAnalysis)FRAM优势在于读写速度快、寿命良好,但其存储单元基于双晶体管,双电阻器单元,单元尺寸至少...

国产存储的困境,该如何破解?

具体看这三大存储器,他们各有不同:DRAM数据易失,容量小。尽管DRAM各项性能都很优秀——纳秒级别的延迟,数十GB/S的带宽,接近于“长生不老”的寿命;然而它是易失性存储器,即断电后数据会丢失,而且,其成本比闪存高,容量也较小。NANDFlash延迟长,寿命短,平面微缩已到极限。其每次写入数据时需要施加高压,让电...

关于半导体存储的最强入门科普

ROM只读存储器:很好理解,可以读取,不可以写入。RAM随机存取存储器:指的是它可以“随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”,这是相对传统磁存储必须“顺序存取(SequentialAccess)”而言的。有些人认为,易失性存储器就是RAM,非易失性存储器就是ROM。其实,这是不严谨的,原因待会会讲。