三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

三星的时间表其实差不多,大概在2026年初。在传统的NAND闪存芯片中,存储单元堆叠在外围电路上方,外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300层时,堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题,三星正在开发第10代V-NAND技术,打算使用一种创新的键合技术,将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造,然后再结合在一起。

存储芯片巨头,秀肌肉!

当CTL缩小到4纳米时,BN势垒的优势变得更加明显,与相同厚度的纯SiNCTL相比,它具有更大的存储窗口、更好的空穴保持能力和更快的擦除速度,这有助于推进3DV-NAND闪存器件的XY缩放。在三星和浦项大学合著的论文“ElectricallyErasableOxide-Semiconductor-ChannelChargeTrapFlashMemorywithUnip...

至讯创新量产512Mb工业级NAND闪存芯片

至讯创新科技(无锡)有限公司(简称:至讯创新)成功量产并发布512Mb高可靠性二维NAND工业级闪存芯片,实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸。这款全新的工业级闪存芯片拥有512Mb的产品容量,在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时,对芯片尺寸做了全面优化,性价比优势凸显。512Mb的容量使该芯片同时能够兼顾系统代码存储和...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

业界最高密度，西部数据预览BICS82TbQLCNAND闪存芯片IT之家6月14日消息，西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8（218层）QLCNAND芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来...

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

根据机构TrendForce的调查报告，2023年第三季度，西部数据在NAND闪存市场占有率达16.9%，占据全球第二的位置。公告次日，长电科技股价强势涨停。公司曾在去年底接受媒体采访时表示，手机存储芯片感觉到复苏的迹象，会持续增长下去。根据WSTS统计，2024年预计存储芯片市场规模将达到130亿美元。市场人士普遍预计，存储...

太坑了,iPhone 16竟要用QLC闪存:容量大但寿命短

可能有人觉得用QLC不过是Apple的无奈之举,但事实上,用在闪存芯片上缩水已经成为近几年Apple的惯例(www.e993.com)2024年11月22日。在M2芯片的MacBookPro中,Apple就将两颗128GB的NAND整合成一颗256GB的NAND,导致256GB型号的读取速度只有M1同容量型号的一半,就连写入速度也降低了30%。

铠侠结束NAND闪存减产,工厂开工率已恢复至100%

在2022年末,各大DRAM和NAND闪存芯片制造商都先后选择了减产,人为限制产能输出,从而遏制价格下跌,弥补亏损缺口。经过了长时间的努力,2023年末已初见成效,结束了长时间供过于求的局面,进入2024年后,DRAM和NAND闪存芯片价格的上涨势头持续。据相关媒体报道,随着存储器市场的复苏,铠侠(Kioxia)已经结束了NAND闪存减产策略...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

展望未来,三星和铠侠(Kioxia)均已公布其研发1000层NAND闪存的计划。三星的目标是在2030年之前研发1000层NAND闪存,铠侠则计划在2031年之前量产超过1000层的3DNAND闪存芯片。DRAM存储器巨头们正聚焦于先进制程节点和3DDRAM技术。2024年3月,美光(Micron)在其财报中披露,目前大部分DRAM芯片都处于1α和1β的先进节...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

现在人们正在改装固态硬盘,以减少其存储空间,从而降低其性能和使用寿命。究其原因,主要是NAND闪存已经达到了一定的密度极限,无法再进一步扩展。改变方法包括在闪存上堆叠更多层(3DNAND),以及增加单个单元内的电压电平数量,从而增加位数。虽然这提高了存储容量,但从单层单元(SLC)到多层单元(MLC)以及今天的TLC和QLC...

长江存储突破QLC闪存寿命!做到4000次P/E

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。根据维基百科的资料显示,SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多,MLC一般在1000-10000次范围,TLC目前最高就只能做到3000次,QLC的话一般不超过1000次。