金刚石半导体之争

金刚石半导体具有超宽禁带(5.45eV)、高击穿场强(10MV/cm)、高载流子饱和漂移速度、高热导率(22W/cmK)等材料特性,远远高于第三代半导体材料GaN和SiC,以及优异的器件品质因子(Johnson、Keyes、Baliga),采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件,克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技术瓶颈...

AFM | 金刚石金属化:类离子注入现象与能带调控

(e-g)在含有空位与取代氮缺陷金刚石与完美金刚石(100)面上的热扩散反应。如图3所示,Ti和Pt在氧终端金刚石表面会优先与O产生键合,使表面C=O结构终端变成C-O-TM终端。明显的电荷重叠及离域分布特征表明TMs与氧之间形成了稳定的离子键。化学键合而非范德华接触的本质,是TMs与金刚石间良好附着力的基础,确保了...

金刚石:新能源汽车IGBT功率模块散热的新利器

例如,金刚石、目前,采用SiC材料的IGBT已经开始逐步应用于一些高端领域,未来金刚石有望进一步扩大应用范围碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料具有更高的电子迁移率、更低的导通电阻和更好的热性能,能够显著提高IGBT的性能。。(2)结构优化:为了提高IGBT的性能和可靠性,研究人员不断探索新的结构设计。例如,多电平结构、无...

【复材资讯】金属基金刚石复合材料:开启热管理新篇章

同时,技术创新和政策支持也将为金刚石/铜复合材料行业的发展提供强有力的支撑。102金刚石/铝复合材料金刚石/铝复合材料主要由金刚石颗粒和铝或铝合金基体组成。金刚石以其高导热率(室温下可达600～2200W/m·K)和优异的物理性能成为复合材料中的关键增强相,而铝或铝合金则作为基体材料,提供所需的力学性能和...

...能量密度材料聚合氮制备领域取得重要进展:无需高压,类金刚石结构

中国科学院合肥物质院固体所王贤龙研究员团队以第一性原理计算为理论依据,采用叠氮化钾为前驱体,基于自主研建的等离子体增强化学气相沉积装置,成功在常压下合成了具有类金刚石结构的高含能立方偏转聚合氮,为立方聚合氮的宏量制备提供了一种简单高效的方法。相关成果发表在ScienceAdvances上。

【复材资讯】纯π-相互作用:实现金刚石超结构的分层自组装

值得留意的是,DWT二聚体表现出交叉构象,这与两个sp3??C之间的σ键十分相似,同时,这一纯π-相互作用驱动的金刚石超结构组装过程也使研究团队联想到sp3??C形成金刚石的过程,因此研究团队将该超结构命名为π-Diamond(www.e993.com)2024年11月24日。图4.π-Diamond单晶X射线(超)结构...

金刚石:手术机器人的 “超级助手” 金刚石大会 | 上海碳材料展

机械臂关节部件:高精度运动:金刚石具有超高的硬度和耐磨性,用于制造手术机器人的机械臂关节等关键运动部件,可以保证在长时间的手术操作中,关节能够保持高精度的运动,减少因磨损导致的运动误差,提高手术的精准度。承载能力强:手术机器人的机械臂需要承载一定的重量,如手术器械和摄像头等。金刚石材料的高强度能够确保关...

华南农业大学杨卓鸿教授团队:有机硅和纳米金刚石改性的氧化石墨烯...

改性氧化石墨烯复合涂料的制备该工作首先采用丙烯酸和10-十一烯酸对环氧树脂E44进行开环反应,得到具有双键封端的VER树脂(如图1),随后以有机硅为“桥”将氧化的纳米金刚石(如图2)接枝到改性的GO上(如图3(2)),最后将多重改性的GO分散到VER树脂中,在加热条件下制备复合防腐涂层。

【复材资讯】GaN/金刚石功率器件界面的热管理

这两种材料的集成是通过Ti/Au的金属间键合层,通过室温压缩键合厘米级GaN和金刚石模具实现的。团队使用了一种改进的表面活化键合(SAB)方法,在超高真空(UHV)条件下,在同一工具内立即进行Ar快速原子轰击,然后进行键合。通过透射电子显微镜(TEM)和共聚焦声扫描显微镜(C-SAM)分别对埋藏界面和总键合面积进行了成像。从...

硅烷在纳米金刚石表面处理中的神秘力量

部分前驱体分子与纳米金刚石表面的悬键反应形成单分子或多分子饱和吸附层,多余的气体分子均匀地弥散于纳米金刚石周围。然后在一定温度下通入惰性保护气体使得吸附物原位热解在纳米金刚石表面形成硅镀层。由于上述吸附——热解反应是受表面吸附层和通入的气体总量控制的自限制反应,因而可促使硅镀层沿着表面二维生长形成准...