日本铠侠存储芯片产品大盘点:从固态硬盘到闪存芯片的全方位解析
其顺序读写速度分别可以达到5000MB/s和3900MB/s，能够满足各种高性能需求，适合游戏玩家、内容创作者等对存储速度有较高要求的用户，提供1TB和2TB的容量选择。SE10系列：作为铠侠的旗舰级高性能固态硬盘，依托于BiCSFlash3D闪存技术，拥有PCIeGen4×4通道和NVMe1.4技术，可实现最高7300MB/s的顺序读取速度和6400...
铠侠将开发新型 CXL 接口存储器:功耗、位密度优于 DRAM、读取快于...
铠侠计划开发新型CXL接口存储，目标打造出较DRAM内存功耗更低且位密度更高的同时较NAND闪存读取速度更快的新型存储器。这不仅可提高存储器利用效率，还有助于节能。据《日本经济新闻》报道，铠侠计划未来3年斥资360亿日元（IT之家备注：当前约16.77亿元人民币）用于新型CXL存储器开发，日本经济产...
如何正确识别和评估内存颗粒的质量与性能
NANDFlash的写入和擦除过程相对复杂,但它在读取速度和耐用性方面表现出色,artisanchuppah,。性能指标(PerformanceIndicators)评估内存颗粒时,性能指标是一个重要的考虑因素。以下是一些关键的性能指标:频率(Frequency)内存颗粒的频率通常以MHz或GHz为单位,表示其工作速度。频率越高,内存的读写速度通常也越快...
一种新型存储器,结合了DRAM和SRAM的优势
SRAM可以更快地读取数据,但其单元相对较大,由多个晶体管组成。斯坦福团队的增益单元内存结合了DRAM的小空间和几乎与SRAM一样快的速度。结合DRAM和SRAM的优势增益单元与DRAM类似,但使用第二个晶体管而不是电容器来存储数据。数据以电荷的形式存储在第二个晶体管的栅极上,栅极是一种电容结构,可控制...
铠侠将开发新型 CXL 存储:功耗、密度优于 DRAM、读取快于 NAND
铠侠计划开发新型CXL接口存储，目标打造出较DRAM内存功耗更低且位密度更高的同时较NAND闪存读取速度更快的新型存储器。这不仅可提高存储器利用效率，还有助于节能。据《日本经济新闻》报道，铠侠计划未来3年斥资360亿日元（IT之家备注：当前约16.77亿元人民币）用于新型CXL存储器开发，日本经济...
中高端SSD中的性价比猛将 三星990 EVO Plus固态硬盘上手
用于对比的TxBench测试结果显示,三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式最高顺序读写速度为7212.982MB/s和6209.903MB/s,PCIe4.0x4模式则为7185.815MB/s和6198.875MB/s,与CrystalDiskMark接近(www.e993.com)2024年11月22日。随机性能采用CrystalDiskMark的成绩,读写分别达到了1052KIOPS和1368KIOPS,大幅超越990EVO,几乎可与配备DRAM的固态硬盘产品相...
“鱼与熊掌兼得”,新型相变存储器问世:结合 DRAM 和 NAND 优点...
IT之家4月25日消息,韩国科技先进研究院(KAIST)近日发表论文,成功研发新型相变存储器(phasechangememory,PCM),可以灵活切换结晶(低电阻)和非晶体(高电阻),从而结合DRAM和NAND的优点。DRAM速度快但不稳定,这意味着断电时(例如关闭计算机时)存储在其中的数据就会消失;而NAND闪存即使断电也能保留数据...
三星990 EVO Plus固态硬盘评测 这个Plus有点猛
用于对比的TxBench测试结果显示,三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式最高顺序读写速度为7212.982MB/s和6209.903MB/s,PCIe4.0x4模式则为7185.815MB/s和6198.875MB/s,与CrystalDiskMark接近。随机性能采用CrystalDiskMark的成绩,读写分别达到了1052KIOPS和1368KIOPS,大幅超越990EVO,几乎可与配备DRAM的固态硬盘产品相...
读取速度超7300MB/s!佰维 NV7200 2TB SSD评测:不可思议的低温
联芸MAP1602A控制芯片,行业内唯一一颗4通道DRAMLESS实现7000MB/s速度的SSD主控。长江存储第三代原厂NAND闪存。三、AMD平台性能测试:顺序读取7318MB/s1、CrystalDiskMark在CrystalDiskMark测试中,佰维NV72002TB的顺序读取速度突破了7GB/s,达到了7318MB/s,写入速度也有6284MB/s;4K读写速度分别超过72MB/s和24...
DRAM销售额大增,预计2024年达780亿美元
虽然铁电存储器以快速写入周期而著称,但并不能保证它最终会胜出。这是因为MRAM、FERAM和ReRAM等多种新型存储器技术都在竞相取代SRAM、NOR闪存和DRAM等现有标准。据专家称,MRAM与其竞争对手相比具有很大的优势,因为其读取速度"很可能在不久的将来与DRAM的速度相媲美"。自旋轨道力矩和电压控制磁各向...