三星和SK海力士将减少DDR4等传统DRAM产量,HBM和eSSD成为新焦点

三星和SK海力士将减少DDR4等传统DRAM产量，HBM和eSSD成为新焦点最近存储器巨头三星和SK海力士都发布了季度财报，在财报电话会议上，均强调了接下来会将重点转移到高利润的高端产品上，同时可能会减少DRAM和NAND闪存的产量，特别是传统类型的产品。据TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）等中国竞争对手正在崛起，而且不断提高...

韩媒:继NAND之后,中国DRAM也猛烈追赶韩国!

10月10日，韩国媒体《Edaily》发表文章称，中国的半导体追击战继NAND闪存之后，又扩展到了DRAM市场。这是因为DRAM公司长鑫存储是中国国内第一家成功开发第六代产品的公司，并且最近一直在增加供应，重点是中低端产品。虽然未能赶上三星电子和SK海力士主打的高端产品，但预计将对未来的竞争格局产生重大影响。据业界透露，...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

业界预测,三星未来的第10代V-NAND预计将达到430层,届时将转向3层堆叠结构。展望未来,三星和铠侠(Kioxia)均已公布其研发1000层NAND闪存的计划。三星的目标是在2030年之前研发1000层NAND闪存,铠侠则计划在2031年之前量产超过1000层的3DNAND闪存芯片。DRAM存储器巨头们正聚焦于先进制程节点和3DDRAM技术。2024年3...

...混合存储模组:通过 CXL 技术同时连接 DRAM 内存和 NAND 闪存

IT之家3月21日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会2024简报,其正研发CMM-H混合存储CXL模组。该模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在CPU和外部设备间建立高效连接。根据三星给出的图示,这...

“鱼与熊掌兼得”,新型相变存储器问世:结合 DRAM 和 NAND 优点...

IT之家4月25日消息,韩国科技先进研究院(KAIST)近日发表论文,成功研发新型相变存储器(phasechangememory,PCM),可以灵活切换结晶(低电阻)和非晶体(高电阻),从而结合DRAM和NAND的优点。DRAM速度快但不稳定,这意味着断电时(例如关闭计算机时)存储在其中的数据就会消失;而NAND闪存即使断电也能保留数据...

一种新型存储,可以替代DRAM和NAND

韩国科学技术院(院长Kwang-HyungLee)电气工程学院ShinhyunChoi教授的研究团队日前宣布,开发出具有超低功耗的下一代相变存储器器件,可替代DRAM和NAND闪存(www.e993.com)2024年11月25日。所谓相变存储器,市值通过利用热量将材料的晶态转变为非晶态或晶态,从而改变其电阻状态来存储和/或处理信息的存储器件。

TrendForce:HBM、QLC 助推今年 DRAM、NAND 营收环比增长超七成

IT之家7月22日消息,TrendForce集邦咨询在今日公布的最新研报中表示,在HBM和QLC崛起的带动下,2024年DRAM内存和NAND闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。具体而言,DRAM内存产业的营收将达907亿美元(IT之家备注:当前约6602.49亿元人民币),环比增长75%;而NAND闪存产业的营收将达67...

韩媒:中国DRAM内存芯片,仅落后三星一代了

很明显，韩国是最牛的，三星、SK海力士，拿走了73%以上的DRAM份额，51%以上的NAND份额。而中国嘛，不管是DRAM内存，还是NAND闪存，均表现一般般，毕竟中国存储芯片到2017年才起步，晚了三星、美光等几十年。不过，近日，有韩国媒体表示，中国目前在DRAM上进步神速，已经只落后三星、美光、SK海力士这三大巨头一代了。...

DRAM/NAND市场将在2024年复苏

2024年3月,法国市场研究公司YoleGroup发布了DRAM和NAND闪存(以下简称"NAND")的市场分析。根据该报告,2023年DRAM/NAND销量均处于低位,但从2024年开始呈复苏趋势。这是由于生成式AI(人工智能)需求的增长带动了数据中心市场的增长,以及配备生成式AI的个人电脑/智能手机的出现带动了替代需求。

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士...

报道中指出,三星和SK海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了2024年的产能目标。报道称三星将DRAM和NAND闪存的产量提高24%,而SK海力士的目标是将DRAM产能提高到2022年年底水平。根据集邦咨询公布的2023年第3季度营收数据,在市场份额方面,三星在DRAM领域占有约38.9%的市场份额,而...