一种新型存储器,结合了DRAM和SRAM的优势

Wong的团队正在开发一种替代内存设计,该设计结合了SRAM和DRAM的优点。DRAM可以在相对较小的空间中存储大量数据,因为它仅由一个晶体管和一个电容器组成,但读取这些数据的速度相对较慢。SRAM可以更快地读取数据,但其单元相对较大,由多个晶体管组成。斯坦福团队的增益单元内存结合了DRAM的小空间和几乎与...

国产闪存芯片自给率有待进一步提升

Flash芯片可分为NORFlash(代码型闪存芯片)和NANDFlash(数据型闪存芯片),其中NANDFlash芯片(即NANDFlash存储晶圆颗粒或封装片)是最重要的存储器芯片之一。NANDFlash存储芯片主要用于实现数据信息存储功能,其一般需要与能够对数据信息存储、输入、输出等进行管理的主控芯片结合,闪存主控芯片作为与存储器芯...

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

不论是当前业内一致看好的HBM,还是突然受爆炒的SRAM,实际都暗示着存储芯片赛道的不断升温。就在本周一,国内封测龙头长电科技盘后公告,拟收购晟碟半导体80%的股权,收购对价约6.24亿美元。据悉,标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等,产品广泛应用于移动通信...

慧荣科技推出适用于 AI 智能手机、边缘计算和汽车应用的UFS 4.0...

慧荣科技最新UFS主控芯片解决方案搭载先进的LDPCECC技术,具备SRAM数据错误检测和校正功能,增强数据可靠性、提高性能并降低功耗。最新UFS主控芯片解决方案支持最广泛的NAND,包括所有领先闪存制造商最新的3DTLC和QLCNAND产品。慧荣科技终端和车用存储业务高级副总段喜亭表示:“采用6纳米EUV制程的SM2756满足最新的高端智能...

大模型时代的算力和存储产业新机遇

GPU迭代存在存储与计算的Trade-off,存储性能迭代已落后于算力迭代。GPU架构存在算力单元“小”而“多”的特点,在摩尔定律接近极限的情况下,为提升算力资源性价比,业界主要通过增加算力单元堆叠的方式提升计算性能;而在存储方面,片上存储空间被挤压的同时,SRAM密度却无法通过制程提升进行弥补,导致当前存储性能迭代已落后于...

Ti C2000主导市场,国产芯片能否创新突破?

STM32F4在2013年投入量产,并发布开发生态系统,与C2000展开竞争,STM32与C2000系列有着很多相似的地方,不论是PWM控制,闪存与SRAM,还是模拟模块功能(www.e993.com)2024年11月22日。C2000的运算、执行速度普遍比同级别的ARM内核MCU要快很多,虽然主频及内存要小一点,但实时控制应用场景并不对主频有很高的要求。除了计算速度外,C2000的ADC的采样精度和转...

从应用端看各类内存的机会与挑战 跨领域新市场逐渐兴起

新兴内存如ReRAM,因其高效能和低功耗特性,可能在未来的移动设备中替代传统内存技术。5.环境影响与可持续性内存生产过程中的碳足迹和资源消耗是业界关注的焦点。未来的发展需要更多地考虑使用可回收材料和降低能耗的技术,如低功耗SRAM和使用环保材料的NANDFlash。

汽车存储产业研究:Transformer时代,存储成本将飞速增长

与电脑系统一样,如今的车载计算系统也有硬盘,重要的数据和训练好的权重模型存在硬盘里。eMMC5.1、UFS3.1已成为目前车载NANDFlash存储的主流标准,2024年2月铠侠推出业界首款车载UFS4.0嵌入式闪存,符合AEC-Q100Grade2要求,并已经开始向业界提供样品,最大数据速率4.64GB/s。预计到2025年,UFS4.0将成为车载存储的标...

三星布局下一代存储:MRAM

展望未来,MRAM及STTMRAM有望逐步替代部分NOR闪存和SRAM,甚至在几年内取代部分DRAM。部分资料参考:Andy730:《下一代非易失性内存:MRAM》,半导体行业观察:《MRAM,最被看好!》,电子工程世界:《新型存储技术要爆发了》,半导体产业纵横:《MRAM:RAM和NAND再遇强敌》,芯东西:《三星存内计算登Nature》...

存储芯片,中国什么时候能成?

中国DRAM技术与国外企业相比,大致落后5-6年,且技术差距还在扩大之中。目前国产存储厂商的DRAM产品尚处于DDR4时代,而三星、SK海力士、美光在近两年都相继宣布DDR5DRAM开发成功。与DRAM相比,SRAM市场规模极小。据新思界产业研究中心发布的《2022-2027年中国SRAM(静态随机存取存储器)行业市场深度调研及发展前景预测报告》...