最强七彩虹笔记本!将星X17 Pro Max 评测:顶级性能 价格比竞品便宜...
将星X17ProMax使用的是一块来自长江存储的PC4111TBPCIe4.0SSD。在CrystalDiskMark测试中,PC4111TB的顺序读取速度突破了7000MB/s,达到了7100MB/s,写入速度也有5560MB/s;4K随机读取75MB/s,4K随机写入316MB/s。在进行64GB测试时,各项数据有一定幅度的降低,对于无DRAM缓存的SSD来说是正常现象。下面...
AI潮流势不可挡,手机格局或将迎来洗牌?|三星|智能手机|手机市场|...
从市场占比来看,三星显示依旧一家独大,京东方成为国产屏厂老大哥,另一位国际大厂LG已经跌到了榜单前五名。随着国产屏幕的崛起,更多的国产手机开始使用国产OLED屏幕,目前已经覆盖了高中低端各个价位的机型,但因为三星显示的主要客户为三星和苹果手机,所以尽管2023年三星显示市场份额较2022有所下降,但仍占据第一。京东方...
【产业互联网周报】六大行拟向国家大基金三期出资1140亿元;OpenAI...
商汤大模型5.0粤语版本发布,定价30港元1Mtokens商汤正式对外发布日日新大模型5.0粤语版,定价为30港元1Mtokens(输入和输出同价),最大支持128K窗口。同时,“商量粤语版”将推出网页版及App版两个端口给公众使用。智谱AI刘江:AGI5~10年会达到普通人水平,智谱AI已启动“超级对齐”智谱AI首席生态官刘江在2024亚马...
昔日半导体巨头东芝今日退市
1985年,东芝率先研发出1M容量动态随机存取存储器(DRAM)。1986年,东芝1MDRAM月产能超过100万片,日本厂商在DRAM市场的份额超过80%。1989年,东芝还发布了世界上第一个NANDFlash产品。1993年,三星超越东芝成为全球DRAM市场的领军企业。2000年东芝半导体的销售额仅次于英特尔,位居世界第二。随后在美国的扶持以及韩国...
芯片巨头,在研究什么?IEDM 2023前瞻
它是世界上第一个双层、高性能、高密度(32Gb)、可堆叠和非易失性铁电存储器技术(图5)。它结合了铁电存储单元的非易失性、高耐用性和类似DRAM的读/写速度和耐用性,并且还超越了NAND存储器的保留性能。NVDRAM使用超大规模(5.7nm)铁电电容器作为存储单元,并使用双栅极、可堆叠、多晶硅晶体管作为访问...
DRAM微缩技术详解,1nm的距离有多远?
如图1所示,4K-1M比特的DRAM是平面型(Planar型),然而,大于1M比特的话,电容就会变成像蘑菇形状一样的“堆栈型”(Stack型)、或者3层鳍状(Fin)构造(图1的上半部分)、或者“沟槽型”(Trench型),即在晶体管下面的硅基板上凿孔,把侧壁当做晶体管(图1的下半部分),由此就产生了下面的内容(www.e993.com)2024年10月16日。
1nm对DRAM意味着什么?670亿人民币!
如图1所示,DRAM是由一个晶体管和一个电容(Capacitor)构成的,晶体管处于“ON”的状态,电容储存电荷。也就是说,根据电容是否有电荷,进行“1”或者“0”的存储动作。图1,DRAM的构造及变迁。(图片出自:《日本半导体历史馆》)如图1所示,4K-1M比特的DRAM是平面型(Planar型),然而,大于1M比特的话,电容就会变成...
【观察】DRAM专题研究:技术路径、前沿简析、公司跟踪
DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,是将数据位存储在所谓的存储或记忆单元中,由一个电容器和一个晶体管组成。存储单元通常被组织成一个矩形配置。当电荷被送过一列时,该列的晶体管被激活。DRAM存储单元是动态的,这意味着它每隔几毫秒就需要被刷新或给予新的电子电荷,以补偿电容器的电荷泄漏...
英特尔历任CEO谱系:谁做的最好?哪位最差?
然而,到了80年代,日本厂商大举进入DRAM市场,使得英特尔迅速失去了市场份额。1984年,英特尔的市场份额下降到1.3%。戈登·摩尔试图推动DRAM的技术驱动。此后的一年左右,虽然DRAM事业部的抵抗持续不断,但最终还是中止了1MDRAM的开发,时任首席运营官的安德鲁-格罗夫被安排负责退出DRAM业务。在此期间,1979年,18岁的...
输赢千亿美元的DRAM芯片战争,新玩家正蓄势待发丨行业洞察
截至2000年,占DRAM份额前五的韩厂有两家,分别为三星和现代,其中三星占23.00%,位居第一;现代占19.36%,位居第三,韩国企业领导DRAM市场。1995年之后,三星多次发起“反周期定律”价格战,使得DRAM领域多数厂商走向破产,并逐渐形成DRAM领域只有几家垄断市场的现状。在1996年至1999年,三星再次祭出“反周期定律”,而彼时...