三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器
为了加强其在DRAM领域的领导地位,三星计划最早于2024年底推出第六代10nmDRAM(或称1cDRAM)和第七代10nmDRAM(或称1dDRAM),用于HBM4等先进的AI芯片。根据三星的内存规划,该公司将在2027年推出10nm以下的DRAM,即0aDRAM。0aDRAM的主要特点是采用垂直沟道晶体管(VCT)三维结构,类似于NAND闪存中使用的技术,以...
...三季度全球存储市场规模突破1200亿美元,3Q24 NAND Flash/DRAM...
同时,面对着来自智能手机市场需求的相对疲软、PC市场库存的持续调整,以及在这些领域发生着的供应竞争加剧,使得四季度的存储市场存在一定的不确定性,尤其表现在四季度的NANDFlash/DRAM整体价格或将由涨转跌。据CFM闪存市场数据显示,2024年三季度全球NANDFlash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元,DRAM市场规模环比增加10...
三星和SK海力士将减少DDR4等传统DRAM产量,HBM和eSSD成为新焦点
最近存储器巨头三星和SK海力士都发布了季度财报，在财报电话会议上，均强调了接下来会将重点转移到高利润的高端产品上，同时可能会减少DRAM和NAND闪存的产量，特别是传统类型的产品。据TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）等中国竞争对手正在崛起，而且不断提高DDR4和LPDDR4X等传统存储芯片的产量。据了解，长鑫存储已经将其D...
DRAM最新价格全线下跌,DDR4跌幅较大
NAND闪存现货价格:现货价格跌势仍未改变,现货厂商在上半年脱手部分低价库存后,也因后续补货而消化涨价,导致平均库存成本上升,而下半年现货价格大幅下跌只会让厂商损失更惨重,TrendForce预估此趋势短期内仍将持续。近日,EdgewaterResearch下调了对NAND和DRAM的价格预测。EdgewaterResearch分析师认为,原始设备制造商(OEM)...
NAND/DRAM新增投产产线曝光;60TB SSD要来了;高通CEO:全球芯片短缺...
除新建工厂产线外,三星电子还在针对旧产线改造,如计划将P2工厂的DRAM生产线由生产1zDRAM改为1bDRAM或更尖端的DRAM产线。SK海力士同三星电子一样,SK海力士(包括Solidigm)的存储器生产基地主要分布在韩国和中国,其中NANDFlash生产基地位于韩国和中国大连,DRAM生产基地位于韩国和中国无锡。据悉,此前停止建设的位于...
SK海力士DRAM,威胁三星?
根据市场信息机构IDC的数据,SK海力士今年第二季度基于销售额的D-RAM市场份额为33.8%,比上一季度增长了3.8个百分点(www.e993.com)2024年11月22日。然而,同期NAND闪存(包括Solidigm)的市场份额为22.5%,较第一季度下降0.7个百分点。三星和SK海力士的半导体库存降低在人工智能(AI)的推动下,对高附加值DRAM(例如高带宽内存(HBM))的需求激增,导...
江波龙:自研 SLC NAND 闪存累计出货已突破 1 亿颗
江波龙表示，在2024年上半年其基于2xnm制程推出了新一代2GbitSPINAND闪存芯片产品，拥有166MHz的接口速度并支持DTR（双倍传输）功能，可实现更高数据传输速率。此外
ScaleFlux 推出 PCIe 5.0 启动盘主控,支持带 \ 不带 DRAM 方案
该主控支持单PCIe5.0×4端口、双PCIe5.0×2端口模式,支持4TB~128TB的TLC或QLCNAND闪存,兼容U.3、U.2和各种EDSFF外形规格,支持DDR5外置DRAM缓存。ScaleFluxMC500CXL内存控制器支持PCIe5.0×4/x8与CXL3.1规范,可配置为单端口或双端口模式,兼容E3.S1T/2T以...
铠侠将开发新型 CXL 存储:功耗、密度优于 DRAM、读取快于 NAND
铠侠计划开发新型CXL接口存储，目标打造出较DRAM内存功耗更低且位密度更高的同时较NAND闪存读取速度更快的新型存储器。这不仅可提高存储器利用效率，还有助于节能。据《日本经济新闻》报道，铠侠计划未来3年斥资360亿日元（IT之家备注：当前约16.77亿元人民币）用于新型CXL存储器开发，日本经济...
存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...
存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。