下一个“黑马”赛道,MRAM存储器市场蠢蠢欲动
理论上讲,MRAM,全称是MagnetoresistiveRandomAccessMemory,是一种非易失性(Non-Volatile)的磁阻式随机存取存储器,是一种基于隧穿磁阻效应的技术,属于当前新型存储器技术之一(下表为新型存储技术关键指标对比)。图表来源:全球半导体观察制表从特性上看,MRAM具备读写次数无限、写入速度快(写入时间可低至2.3n)、功...
新突破!我国存储器技术
常见的非易失性存储器包括闪存(FlashMemory)、只读存储器(ROM),以及一些新技术如磁性随机存储器(MRAM)、铁电随机存储器(FeRAM)、相变存储器(PCM)等。其中闪存是目前占主导地位的非易失性存储器技术,但在速度方面受到限制。图源:NatureElectronics据复旦大学微电子学院官方消息,近日,复旦大学周鹏-刘春森团队《二...
【深度】相变存储器(PCM)应用前景广阔 3D PCM为其代表产品
新型存储器包括相变存储器(PCM)、阻变存储器(RRAM)、磁变存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM)等类型。相变存储器(PCM)指利用硫族化合物或氧化物等特殊材料在不同相态之间的转换来存储数据的非易失性存储器。PCM具有快速读写速度快、功耗低、存储密度高、使用寿命长等优势,在人工智能、电子产品以及无线通信等领域拥有...
谁是存储器市场下一个“宠儿”?
资料显示,SCM结合了DRAM和闪存的特点,具有DRAM的高速读写性能,又拥有NAND闪存的持久存储能力,有望解决DRAM存储器容量小、易失性和高成本等问题,同时兼顾高速读写和持久存储需求,产品主要包含PCM、ReRAM、MRAM和NRAM等。铠侠在SCM领域主要聚焦XL-FLASH闪存方案,与所有闪存一样,XL-FLASH能够在断开电源时保留...
巨头押注,MRAM开始爆发
目前主流的新型存储器主要包括四种:阻变存储器(ReRAM/RRAM),相变存储器(PCRAM),铁电存储器(FeRAM/FRAM),磁性存储器(MRAM)。其中MRAM正在成为当下主流的新型存储技术,并且有专家预言,MRAM将带来下一波的存储浪潮。01MRAM的特点MRAM是一种兼具DRAM和Flash特点的存储介质,以下是MRAM的一些具体特质。
DRAM 后谁扛大旗?MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌
铁电随机存取内存的特点是快速写入周期,但它还有诸多强大的竞争者(www.e993.com)2024年10月19日。这是因为MRAM、FERAM和ReRAM等多种新型存储器技术都在竞相取代SRAM、NOR闪存和DRAM等现有标准。专家表示MRAM与其竞争对手相比具有很大的优势,在可以预见的未来,其读取速度可以媲美DRAM。自旋轨道力矩(spin-orbittorque)和电压调控...
分析丨三星布局下一代存储:MRAM
磁宇信息:拥有pSTT-MRAM专用12寸薄膜制造/测试设备和pSTT-MRAM专用12寸刻蚀设备的公司,国外MRAM主要应用在固态硬盘内,实现固态硬盘性能大幅度提升,这也是磁宇信息产品的起点。致真存储:国内仅致真存储致力于开发第三代MRAM的研发,其写入技术为SOT-MRAM,技术上对标更接近底层的缓存级存储器,公司SOT-MRAM发明专利数在...
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存:功耗仅为类似技术百分之一
台积电表示新款SOT-MRAM内存搭载创新运算架构,功耗仅为STT-MRAM的1%,相关研发成果领先国际,并在全球微电子元件领域顶尖会议国际电子元件会议(IEDM)上共同发表论文。IT之家注:STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心...
新型存储技术迎制程突破
技术提出了更高要求,于是新型存储技术不断涌现,其中SCM(StorageClassMemory)是具有代表性的技术,它结合了DRAM和闪存的特点,具有DRAM的高速读写性能,又拥有NAND闪存的持久存储能力,有望解决DRAM存储器容量小、易失性和高成本等问题,产品主要包含相变存储器(PCM)、阻变存储器(ReRAM)、磁阻存储器(MRAM)和纳米管RAM...
内存变革将至,DRAM 后谁扛大旗?MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌
自旋轨道力矩(spin-orbittorque)和电压调控磁各向异性磁随机存储器等新技术也正在缩短MRAM的写入延迟时间,使其成为有朝一日可能取代DRAM的主要候选产品之一。MRAM磁阻式随机存取内存磁阻式随机存取内存,是一种非易失性内存技术,从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为,这个技术速度接近SRAM,具有快闪...