第四代半导体氧化镓的机遇和挑战
2021年2月2日 - 电子工程世界
AFRL在2016年报告了一个有IKZ外延片制作的MOSFET,该器件在0.6um的G-S漂移区内承载电压高达230V,意味着平均临界场强达到了3.8MV/cm,大约是4倍于GaN的临界场强,成为了“燎原之火”。更重要的是,Chabak指出GaO的低热导率并不会阻碍其成为主流射频功率器件的因素,并用一些模型证明了倒装芯片技术和背面减薄技术相结...
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沈阳市沈北新区中心医院消毒供应中心改造工程(设备)招标公告
2021年12月7日 - 中国国际招标网
项目概况沈阳市沈北新区中心医院消毒供应中心改造工程(设备)招标项目的潜在供应商应在辽宁政府采购网(httpccgp-liaoning.gov/)获取招标文件,并于2021年11月24日09时00分(北京时间)前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号:JH21-210113-00417项目名称:沈阳市沈北新区中心医院消毒供应中心改造工程(...
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