光刻技术,有了新选择

投影式曝光通过控制电子束照射掩模图形,将掩模图形投影至光刻胶表面,把掩模板上的图案转移到光刻胶上,原理类似于照相机,拍摄对象好比掩模板,光刻胶就像是胶卷,通过光线的照射把拍摄对象投影到胶卷上。直写式光刻不需要掩模版,通过磁场直接控制电子束斑按照预设的轨迹在光刻胶表面照射,完成图案转移,就像是画画,铅笔...

国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点

据媒体报道,2016年,徐州博康收购了NBL落户徐州经济技术开发区,并将在园区内主要生产电子束光刻机、扫描电镜、高压电源以及电子束枪、无磁电机等高科技产品。NBL的电子束光刻机线宽小于8nm的工艺,相关产品已销往因英、美、德、法、瑞典、韩国等国家,中国的中科院微电子所、13所、55所、北京大学等单位已引进15台。

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式划...

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

光源的波长是影响光刻精度的主要原因,由于光源波长的限制,X射线曝光可达到50nm左右的精度,深紫外光源的曝光精度在100nm左右,而电子的波长较小,因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定,成本相对较低的特点,因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式划...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来

双光束光刻技术与传统的光刻技术相比具有显著优势。电子束光刻(electronic-beamlithography,EBL)可以实现低于100nm的分辨率,这是由于电子束的衍射表现出极短的德布罗意波长(图1(a))。然而其对光学器件的要求很高,不是一种经济的光刻方法。基于高数值孔径物镜聚焦的光束光刻(opticalbeamlithography,OBL)技术是三维纳米...

可实现0.7nm制程光刻机诞生?是挑战还是契机?

虽然，当下想要指望EBL电子束光刻机取代EUV光刻机并不现实；但是一种全新的技术出现，或许也为每一位被相关技术“卡脖子”的半导体从业者打上了一针兴奋剂(www.e993.com)2024年11月29日。综上所述：当下的半导体行业或许不会因为一个EBL电子束光刻机而发生质的改变；但是，它给我们半导体行业从业者带来的不仅是认知上的冲击，更是对自身发展的新...

美国实现0.7nm芯片?绕开EUV光刻机?

绕开EUV光刻机?绕开EUV光刻机、美国打造全球分辨率最高光刻系统。在9月21日,ZyvexLabs宣布,推出世界上最高分辨率的光刻系统—ZyvexLitho1。从相关报道指出,达成这个0.7纳米分辨率的光刻系统这是一种称为氢去钝化光刻的技术,它是一种电子束光刻技术,可实现原子分辨率。

EUV光刻机都搞不定的0.7nm芯片让美国造出来了!是真牛还是吹牛?

Zyvex推出的光刻系统名为ZyvexLitho1，之所以能实现比EUV光刻机更高的精度，是因为其基于扫描隧道显微镜（STM）技术，使用EBL电子束光刻方式制造出了0.7nm线宽的芯片，是当前制造精度最高的光刻系统。电子束光刻机技术的工作原理，简单说就是通过非传统的氢去钝化光刻技术，在Si(100)2×1二聚体列重建表面去除氢...

0.768nm堪比两个硅原子!美国造出全球最高分辨率的光刻机

它并没有采用EUV光刻技术,而是基于STM扫描隧道显微镜,使用的是电子束光刻(EBL)方式,可以制造出具有0.768nm线宽(相当于2个硅原子的宽度)的芯片,精度远超EUV光刻机。一、实现更高的分辨率和精度的关键:氢去钝化光刻ZyvexLitho1所采用自我显影的电子束光刻(EBL)技术的核心是使用氢去钝化光刻(HDL)从Si(100)2...

美国企业打造0.7nm级光刻机为首个实现原子精密光刻的商用工具

此外,区别于EUV光刻技术,ZyvexLitho1使用的是电子束光刻(EBL,ElectronBeamLithography)方式,且比目前最好的EBL精确一个数量级。0.768nm的精度是目前的EUV光刻机所无法达到的。它的核心是氢去钝化光刻(HDL,HydrogenDepassivationLithography)。HDL提供两种光斑尺寸模式:单二聚体行线宽AP(AccessPoin,接入点)模式...