如果说7nm是制程工艺物理极限 那么1nm是什么概念?

对于劳伦斯伯克利国家实验室将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm,国人不必将其看得太重,因为这仅仅是一项在实验室中的技术突破,哪怕退一步说,该项技术已经成熟且可以商业化,由于其在商业化上的难度远远大于Intel正在研发的10nm制造工艺——其成本将高昂地无以复加,这会使采用该技术生产的芯片价格居高不...

大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?

TSMC体系里,20-10-5nm,是一组研发开发的,而14-7-3是另外一组研发开发的,这就是TSMC为了保持工艺领先,搞了两组人,分别在两个技术路线上竞赛。因为当时10nm那组难产,没过多久7nm那组就起来,两者相差一年都不到,客户没怎么用上10nm,就纷纷直接转去用7nm工艺了,所以实际上TSMC的10nm就没啥客户来流过片。所以...

国产光刻机突破28nm了吗

还是以2100i光刻机为例,各种Buff叠满之后,其理论的CD=(0.07×193)/(1.44×0.93)=13.51/1.3392≈10nm,注意是10nm指的是分辨率,对应的是2nm工艺,用大家的话说,“28nm光刻机造2nm”。既然多重曝光这么好用,国产65nmArF光刻机的分辨率,能否通过多重曝光的方式提高分辨率?暂时不能。多重曝光是一个技术手段,...

台积电不断升级芯片工艺,从28nm到5nm,是惊天大骗局?

近日，台积电和三星相继推出号称全球顶尖的3nm芯片工艺，然而，意外的是，英特尔却宣布实现了2nm的新突破，一举超越了台积电。从28nm开始，英特尔曾是行业领军者，而后由于三星推出FinFET14nm工艺，使得台积电、三星逐渐赶超英特尔。台积电更是在10nm至3nm的工艺升级中保持领先地位，但对于其工艺的质疑声也此起彼伏。有人...

ASML掀老底:3nm芯片实际为23nm,1nm芯片是18nm?

而进入28nm之后,由于栅极长度,对应工艺基本上不太可能的,因为这个栅极长度缩小非常困难。于是从28nm起,所谓的XX纳米是等效工艺,即它并不是指芯片的一些关键指标,比如栅极长度、金属半节距、接触栅间距等等,工艺和这些都不挂钩。完全是各大晶圆厂,按照自己的节奏,一代一代的给自己的工艺取名,甚至台积电的10nm、三...

芯原股份:已实现5nm系统芯片(SoC)一次流片成功

芯原微电子(上海)股份有限公司(证券代码:688521证券简称:芯原股份)1月5日发布投资者关系活动记录表,公司于1月3日-4日接受特定对象调研时透露,在先进半导体工艺节点方面,公司已拥有14nm/10nm/7nmFinFET和28nm/22nmFD-SOI工艺节点芯片的成功流片经验,目前已实现5nm系统芯片(SoC)一次流片成功,多个5nm一站式服务项目正...

摩尔定律,其实已死在了28nm,中国芯片完全能追上台积电?

一些人认为摩尔定律是继续有效的,因为28nm之后,芯片工艺还在持续的进步,越来越小,进入了14nm、10nm……甚至是3nm,未来还有2nm、1nm等。另外一些人则认为,进入28nm之后,晶体管微缩越来越逼近物理极限,晶体管密度变化较小了,更关键的是升级更先进制程本该带来的单位晶体管成本下降的“经济效益”也开始消失,什么每两...

美论坛惊讶,中国怎敢擅自研发光刻机?国产光刻机官宣,打谁的脸

简言之,28nm光刻机技术的突破,意味着在众多工业化领域,中国已实现了自主。干式光刻机与ASML后期的DUV湿式多重曝光没得比,但有了这个0到1的突破,下一步就是突破浸润式光刻技术,打通65nm—45nm—28nm—14nm—10nm——7nm工艺,按部就班不断迭代优化。

2024,中国芯片还需更多DUV光刻机

由于更先进的EUV光刻设备早在2019年被禁运,此次被限制出口的2050i,2100i基本上可以视作当前最先进的一批DUV光刻机型号,广泛应用于40nm以下的制程产能中,对应28nm、14nm、10nm、7nm四个主要制程节点。作为1980di机型的升级版,2050i,2100i同属采用193nm波长光的浸润式光刻设备,借助多重曝光等技术,具备生产7nm制程芯...

从砂到芯:芯片的一生

前期加工中,设备主要围绕制程工艺选型,也就是时常被提起的28nm、14nm、10nm、7nm、4nm、3nm……制程越小,制造越困难,对设备要求也越高。目前,28nm是行业分水岭,比28nm更先进的是先进制程,反之则是成熟制程。制程随摩尔定律迭代,即芯片上晶体管数量每隔18~24个月增加一倍,性能也将提升一倍。