晶圆键合+InGaAs on Si

多晶硅膜的表面粗糙度RMS经评估为0.243nm，如图2（b）所示。可以看出，多晶硅表面足够平整，适合晶圆键合。多晶硅膜的HRTEM图像如图2（c）所示，以进一步确认多晶硅膜的厚度和结晶度。可以看出，10nm厚的非晶硅膜在900℃退火后转变成4nm厚的多晶硅层和6nm厚的SiOx层。900℃管式炉中残余氧与Si的反应是...

安集科技2021年年度董事会经营评述

建立关键原材料硅溶胶的自主可控生产供应能力,其开发的多款硅溶胶已在公司多款抛光液产品中通过内部测试,并在积极与客户合作进行测试验证中;同时,公司通过自研自建的方式加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力,进展顺利。

NIL光刻的现在和未来

在本例中,Y方向上的对准误差从2.20nm减少到1.79nm,3σ,而其他正在开发的方法包括一种新的最终压印力和倾斜控制系统,该系统可以更精确控制压印力和倾斜。图6.对准控制点(POI)的影响NIL图案转移工艺包括三个单独的蚀刻步骤,从抗蚀剂剥离(残余层蚀刻)开始,然后是SiARC的蚀刻和旋涂式碳膜(图7)。在TEL的初步研...

半导体设备及材料行业深度研究报告:国产加速(下)

10nm的全局平整度要求,相当于44万平方米面积中任意两点的高低差不超过0.03毫米、表面粗糙度小于0.5nm,作业过程中,抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上,借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。抛光盘带动抛光垫旋转,通过先进的终点检测系统对不同材质和厚度的膜层实现3~10n...

半导体设备行业深度报告:国产突破正加速,迎来中长期投资机会

随着先进制程从10nm往5nm/3nm节点演进,逻辑芯片晶圆制造中光刻价值占比从25%提升至35%+,提升较明显。DRAM从1X往1A演进,也将带动光刻价值占比从24%提升至27%。设备端看,EUV和ArFi光刻机占比约8成,其中EUV光刻占比提升显著,国内厂商有望从ArF和KrF、I-Line光刻机等逐步切入。