...北京君正二代CPU预计明年量产;鼎龙股份抛光垫技术研发进入14nm...

近日,鼎龙股份接受机构调研时表示,长江存储、合肥长鑫、中芯国际对公司产品的评价较高。在存储和先进逻辑领域持续突破,客户端28nm全制程测试进展顺利,部分制程已获得订单,抛光垫的技术研发已全面进入14nm阶段。鼎龙股份称,长江存储在公司产品销售收入的占比较高,考虑到未来长江存储扩大产量的同时,公司未来的销售收入也会...

国产存储芯片全球第4!发展的速度超出你的想象!

同时，采用“X-Stacking4.0”技术的长江存储，正通过NAND闪存的堆叠技术提升存储能力和性能，达到可以与国际顶尖公司一较高下的水平。与此同时，另一家国产存储巨头——长鑫存储，已经实现了DRAM5的量产，并在18.5nm工艺上达到了每月10万片晶圆的产量，距离主流厂商的10nm/12nm制程节点仅有一步之遥。自2020年以来...

国产替代加速,长江存储成功用国产设备造出3D NAND芯片

长江存储作为中国第一家存储器晶圆厂，是3D-NAND存储芯片国内龙头，在中国半导体行业举足轻重，其自研的Xtacking架构成功让长江存储迈入国际领先的NAND闪存芯片制造行列。尤其是Xtacking3.0和Xtacking4.0架构的推出，可让3DNAND的层数堆叠到232层，使得其能够与美光、三星和SK海力士等全球领导者进行竞争。回顾长江...

8大芯片巨头指路存储风向:QLC应用加速,生成式AI成焦点

2018年,长江存储提出晶栈Xtacking架构,该架构通过CMOS-Arrey异构集成,实现了不同工艺的解耦,从而实现更快的IO速度、更高的存储密度、更快的上市周期。长江存储基于晶栈Xtacking3.0架构推出了QLC产品X3-6070,实现在4000次的插写后QLC依然没有问题。对比上一代QLC,其存储密度提高了70%、编程性能提高了90%、IO速度提...

五大热门选择:超值256GB存储卡全面解析!

雷克沙(Lexar)256GBNM存储卡(NMCARD)华为荣耀手机平板内存卡适配Mate/nova/P多系列畅快拍摄存储[经销商]京东商城[产品售价]￥169元进入购买首先是来自闪迪(SanDisk)的256GBTF(MicroSD)储存卡。此款储存卡采用U1等级速度,最高速度可达150MB/s,不论是下载大型文件或是观赏高清影片都能游刃有余。

长鑫、长存两大中国存储芯片巨头受美国打压后,发展如何?

长江存储现在的232层内存,已经很少了,大部分都是被查封的,大部分都是128层,据新闻报道,长江存储已经研发出了和232层差不多的120层内存,也不知道是真是假,但至少有了新的进展(www.e993.com)2024年11月25日。从市场与能力上看,长江永续现在拥有世界上大约5%的份额,6%的能力,但是它还在不断成长,并且预计将来将会占据世界上15%-20%的能力。

国产光刻机突破,长江存储转向国产设备,存储芯片替代加速

长江存储对进口设备的依赖性极强，其128层、232层的关键工艺都依赖于海外设备，而能被国产设备替代的并不多。核心设备的国产替代情况如下：荷兰光刻机（ASML）能够实现7nm、5nm工艺；国产光刻机目前只能达到28nm、14nm，且有可能牺牲良品率。美国的刻蚀机（泛林集团）采用低温电解质技术，能实现1000层NAND的加工；...

中美“存储芯片大战”剧终,美光、晋华握手言和

2016年以来,新的挑战者中国的长江存储、长鑫存储、福建晋华纷纷成立,美光预判到危机,开始复用美日芯片战的手法,于2017年率先对福建晋华下手。美国众议院、联邦法规要求披露的数据显示,美光长期游说美国政府部门,指责中国对美的竞争和知识产权问题,而且获得成效。

一文读懂:美光、晋华握手言和,“存储芯片战”剧终

美光未能如愿“击倒”福建晋华,反而多了一个新的商业对手——长江存储。2023年11月,我国NAND存储器生产商长江存储,向美国法院提起了专利侵权诉讼,指控美光侵犯了公司的多项3DNAND技术专利,并称这些侵权行为已用于其固态硬盘产品中,包括96层、128层、176层与232层等3DNAND产品。

长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?

从市场和产能来看,长江存储目前的市场约占全球5%左右,产能大约也在6%左右,但在持续扩产,未来的计划是达到全球15-20%的产能。再看长鑫存储,在DDR类型来看,长鑫目前已经生产出了DDR5内存,也算是处于顶尖水平了。不过从工艺制程来看,还是落后三星、SK海力士这些一些,三星等实际工艺制程达到了14nm左右,而长鑫之前一直...