跳过EUV光刻机?中科院传来好消息,芯片或实现弯道超车!

8英寸石墨烯单晶晶圆的展示也意味着中国在碳基集成电路技术上又进一步。中科院的消息传来，显示芯片技术可能实现弯道超车。首先，解决传统硅基芯片生产中的光刻机等技术问题显然非常棘手。中科院在石墨烯领域的领先，说明在碳基芯片领域，中国已具有较高的起点。其次，由于摩尔定律的极限已显，芯片行业可能面临“大洗牌”...

他,发表5篇Science,超50篇JACS,刚刚当选中科院院士,名至实归!

以通讯作者在Science(5篇)、PNAS(USA,1篇)、J.Am.Chem.Soc.(52篇)、Angew.Chem.Int.Ed.(22篇)、Phys.Rev.Lett.(5篇)、Natl.Sci.Rev.(2篇)、Adv.Mater.(14篇)、Natmun.(6篇)、Acc.Chem.Res.(1篇)、Chem.Rev.(1篇)、Chem.Soc.Rev.(5篇)等主流期刊上发表论文1...

是环,还是链?被中科院化学所研究人员破解,登上JACS!

这是通过拉曼光谱首次证明v-a-Se中存在Se8环的实验证据,与XAFS和溶解-结晶结果非常一致。这表明,当使用广泛使用的532nm激发激光来对v-a-Se进行拉曼表征时,只有极低的激发激光照射密度才能给出v-a-Se由Se链组成的正确表征。为了完全避免光激发诱导的环-链转变,作者尝试使用波长为785nm的低于带隙激发激光进行拉曼...

中科院金属所马嵩&张志东团队:一石三鸟!纳米复合高效吸波材料

Ⅱ“一石三鸟”防腐吸附吸波3D网络纳米复合结构形貌三种不同碳源比例合成的Ni3Fe颗粒分散于碳管顶端的Ni3Fe@NCNT三维网络具有典型的管状结构直径为40~300nm,明显比其他相关报道的纳米管状结构更加粗大,大大促进了电子传输,有利于降低穿透阈值,实现对EMW的轻量化高效吸收。同时,碳源比例越高,碳管组分越多,即...

源达研究报告:国内加快成熟制程扩产,光刻胶国产替代加速突破

五、行业公司1.彤程新材公司是国产半导体光刻胶的领军企业。公司业务可分为电子材料、汽车/轮胎用特种材料和全生物降解材料三大板块。其中电子材料板块主要涵盖光刻胶等产品,根据公司2022年年报,公司g线光刻胶已在国内占据较大市场份额,I线光刻胶已接近国际先进水平,可基本涵盖国内14nm以上大部分工艺的需求。此外...

厉害!中科院5nm光刻技术突破,国产VCSEL光芯片打破欧美垄断

锋利的!中科院5nm光刻技术取得突破,国产VCSEL光学芯片打破欧美垄断(www.e993.com)2024年11月23日。技术领域的话语权决不能妥协。美国的禁令阻碍了我国的芯片发展。同时,也让大家意识到,想要有一些好的发展,还是要靠自己。因此,中国也掀起了一股芯片制造热潮。事实证明,虽然我们在先进技术上比较迟缓,但并不代表我们不能突破。芯片业务的一些成就...

中科院突破5nm光刻技术垄断?事实残酷却又是把双刃剑

但是,冷静细微分析后,其实可以发现,此次我国中科院突破超分辨率激光光刻制备5纳米高精度掩模板技术的消息闹出的乌龙欢呼事件其实是把双刃剑。如果从不乐观的角度看,国外对5nm芯片制造设备的垄断依旧存在,100%国产化路途还比较遥远,我们不能高兴得太早;另一方面,如果乐观地分析,最少能说明我们在5nm相关的光刻机领域又...

中科院研发者回应5nm光刻技术突破ASML垄断:这是一个误读

近日，中国科学院官网上发布的一则研究进展显示，该团队研发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，随后这被外界解读为，该团队已经突破了5nmASML的垄断，对此相关人士也是进行了回应。据《财经》报道称，该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前公开回应称，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。...

中科院5nm激光光刻,是否意味可以取代荷兰的ASML光刻机?

首先,中科院的这项5nm激光光刻研究是很激动人心的,毕竟这是属于我国的技术。但是我国的项目技术还是和目前主流的光刻机技术有所不同的。中科院的是激光直写,而荷兰的ASML光刻机的电子束直写,这两个是完全不同的技术。激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料(如光刻胶)实施变剂量曝光,显影后在抗...

芯片不再求人,中科院成功攻破5nm,ASML:太快了。

芯片不再求人,中科院成功攻破5nm,ASML:太快了。特别声明:以上文章内容仅代表作者本人观点,不代表新浪网观点或立场。如有关于作品内容、版权或其它问题请于作品发表后的30日内与新浪网联系。关键字:中科院权利保护声明页/NoticetoRightHolders我要反馈...