在北京,华为、长江存储、美光、英特尔都来了

2024年公司此前计划扩产3万片/月—5万片/月，扩充的产能已于今年8月份起陆续释放。据介绍，公司目前已实现150nm至55nm制程平台的规模量产，40nm高压OLED芯片工艺平台已实现小批量生产。此外，今年国产化需求极为旺盛，在CIS领域表现得尤为突出。而这一产品主要聚焦在成熟节点。在这些成熟制程...

全球第4!没想到国产存储芯片进展如此之快,超过大部分人想象!

也就是说，长江存储正不断蚕食三星、SK海力士、美光等存储巨头的市场份额，同时生产设备也在逐步实现完全国产化。三、长鑫存储，全球第四而另国产存储巨头——长鑫存储，已实现DRAM5的量产，在18.5nm工艺的DRAM芯片上也实现量产，目前月产量高达10万片晶圆。这与主流厂商10nm/12nm制程节点仅有一步之遥了。同时，...

国产存储芯片全球第4!发展的速度超出你的想象!

同时，采用“X-Stacking4.0”技术的长江存储，正通过NAND闪存的堆叠技术提升存储能力和性能，达到可以与国际顶尖公司一较高下的水平。与此同时，另一家国产存储巨头——长鑫存储，已经实现了DRAM5的量产，并在18.5nm工艺上达到了每月10万片晶圆的产量，距离主流厂商的10nm/12nm制程节点仅有一步之遥。自2020年以来...

长鑫存储开始以18.5nm工艺生产DRAM芯片,初始产能每月10万片晶圆

据DigiTimes报道,长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片,第一期生产线已经接近满负荷运转,初始的月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升,到2024年底,每月产能还会增加4万片晶圆。这意味着,长鑫存储在全球范围内DRAM总产能的占比将达到10%。此外,长鑫存储计划为新的扩产大幅增...

8大芯片巨头指路存储风向:QLC应用加速,生成式AI成焦点

在总产量上,NANDFLASH将超过8000亿GB单量,相比去年增长20%,DRAM预计增长达15%,将达到2370亿GB单量,到今年第一季度预计绝大部分公司的利润率都会得到全面有效的扭转。预计今年后续三个季度的存储市场现货价格将保持平稳向上的趋势。三星电子、长江存储、SK海力士、美光、铠侠等国内外核心存储原厂嘉宾同台进行演讲。

长鑫、长存两大中国存储芯片巨头受美国打压后,发展如何?

长江存储现在的232层内存,已经很少了,大部分都是被查封的,大部分都是128层,据新闻报道,长江存储已经研发出了和232层差不多的120层内存,也不知道是真是假,但至少有了新的进展(www.e993.com)2024年11月23日。从市场与能力上看,长江永续现在拥有世界上大约5%的份额,6%的能力,但是它还在不断成长,并且预计将来将会占据世界上15%-20%的能力。

中国半导体设备2024年展望:存储回温引领扩产需求,多领域替代转化...

无独有偶,2023年2月27日,长江存储科技控股有限责任公司注册资本由约562.75亿元增至约1052.70亿元,其中大基金二期增资128.87亿元;10月29日,长鑫新桥存储技术有限公司注册资本从50亿元增加到439.24亿元,大基金二期增资145.6亿元。行业周知,长江存储当前生产的3DNAND并不需要非常先进的晶圆制程,但是对特殊工艺要求较高,比...

中美“存储芯片大战”剧终,美光、晋华握手言和

美光未能如愿“击倒”福建晋华,反而多了一个新的商业对手——长江存储。2023年11月,我国NAND存储器生产商长江存储,向美国法院提起了专利侵权诉讼,指控美光侵犯了公司的多项3DNAND技术专利,并称这些侵权行为已用于其固态硬盘产品中,包括96层、128层、176层与232层等3DNAND产品。

一文读懂:美光、晋华握手言和,“存储芯片战”剧终

2023年11月,我国NAND存储器生产商长江存储,向美国法院提起了专利侵权诉讼,指控美光侵犯了公司的多项3DNAND技术专利,并称这些侵权行为已用于其固态硬盘产品中,包括96层、128层、176层与232层等3DNAND产品。长江存储对进口设备依赖程度非常高,大部分是进口设备,其128层、232层3DNAND更是在美、日、荷等国设备...

年入38亿,武汉明星独角兽要IPO了

公司在浮栅工艺上制程节点涵盖65nm到50nm,其中50nm技术平台具有业内领先的存储密度;在电荷俘获工艺方面为客户一代码型闪存(产品A)全球唯一晶圆代工供应商。业绩方面,2021年、2022年、2023年以及2024年第一季度(以下称“报告期内”),新芯股份分别实现营收31.38亿元、35.07亿元、38.15亿元和9.13亿元;归属于母公司股东...