西安建筑科技大学nAFM:发射波长在379-400 nm范围内可调的紫色...

值得注意的是,MA3Bi2Br6Cl3量子点在379nm处表现出紫外发射,对应的PLQY为35.4%。同样,通过改变最终反应时间,量子点的发射峰也可以从379nm调整到376nm。结果表明,成功合成了深紫色OIHP量子点。本研究为短波长钙钛矿材料提供了理论参考,也为紫外光量子点发光二极管器件的研究提供了实验参考。L.Wu,Y.Pan,...

印度媒体报道中国光刻机,印网友:20年前的技术,遭各国网友嘲讽

而且，相比于14nm、7nm甚至更先进的技术，28nm制程是当前中国成熟工艺链条中的一环，这次的突破意味着中国已经有了独立制造高质量芯片的能力，并将为未来更高技术节点的突破打下坚实基础。要实现这28nm技术突破，背后并不是一天两天的努力。实际上，中国在光刻机技术上的研发从2010年左右就开始了，一路走来，充满了...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

193nm的深紫外光,在水中的折射率为1.44,波长可以进一步缩短到134nm。“刀刃”,就这样变得更锋利了。太聪明了。这个方法,把DUV光刻设备,从“在空气里刻”的干式时代,直接带进了“在水里刻”的浸没式时代。但是,还不够。靠这个方法迭代“刀刃”,你有可能在你班里提提名次,把制造水平从28nm制程提升到2...

国产EUV光刻机进展如何?与ASML技术相比有何改进?

国内光刻机技术目前理论上仍处于第四代，即ArF光刻机，也称为干式DUV光刻机，使用193nm波长，理论最小制程达到65nm。最近几天的新闻对这种光刻机进行了大量报道，关于它的具体情况这里不再赘述。这也显示出我们的实力，毕竟全球仅有三个国家能制造DUV光刻机。然而，对我们来说，更为关键的还是EUV光刻机，因为只...

3+亿美元能造1.8nm!Intel收到全球第一台高NA EUV极紫外光刻机

快科技1月7日消息，Intel官方宣布，位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NA(数值孔径)EUV极紫外光刻机，型号为“TwinscanEXE:5000”，它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机，将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺，也就是1.8nm级别。Intel还第一个...

ASML首台2nm高数值孔径极紫外光刻机交付

极客网·企业级IT12月25日(海刚)芯片产业正大跨步进入2nm时代!最近,荷兰光刻机巨头ASML对外宣布,已经正式向英特尔交付了首台2nm极紫外光刻机(www.e993.com)2024年11月9日。根据目前公开可查到的信息,这台光刻机为新型高数值孔径极紫外光刻机,成本要超过3亿美元。体积有一整个卡车车箱大小,是目前最先进的光刻机。而这台光刻机的研发过...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

缩短波长主要依靠光源的改变,比如g-Line,i-Line的UV(紫外光),KrF,ArF的DUV(深紫外光)再到目前13.5nm波长的EUV(极紫外光),如果波长再短就是X-ray。改变光源可以获得想要的波长,但镜头的材料也必须相应改变,材料可选项也会越少。另一种解决方案是在镜头组中加入反射镜(下图黄色部分),这样的镜头组合称为反射...

消息称台积电月底将接收首台高数值孔径极紫外光刻机 单价约3.8亿...

TechWeb9月11日消息,据外媒报道,在5nm和3nm制程工艺上,台积电和三星电子从阿斯麦采购了大量的极紫外光刻机,而随着制程工艺的升级,台积电和三星电子也需要购买更先进的光刻机,在2nm以下的制程工艺上,就需要高数值孔径极紫外光刻机。而外媒最新援引半导体产业内的消息报道称,在晶圆代工领域份额遥遥领先的台积电,...

台积电砍价成功:消息称其首台 High NA EUV 光刻机远低于 ASML 3.5...

IT之家9月10日消息,继英特尔抢先于2024年4月宣布完成业界首台高数值孔径极紫外(HighNAEUV)光刻机组装后,台积电竹科园区将于9月底前引进其首台高数值孔径极紫外光刻机,较外界所猜测的年底时间点提前一整个季度。Digitimes报道称,台积电首部HighNAEUV设备的购入价格远低于原定的3.5亿欧...

俄罗斯实现“洗衣机芯片“自由,首台0.35μm光刻机问世

目前在半导体制造行业,DUV(深紫外)光刻机可以用于制造7nm及以上工艺的芯片,涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片,随着工艺向5nm、3nm进化,EUV(极紫外光)设备成为未来光刻技术和先进工艺的核心。而用于7nm及以下先进芯片制造工艺的光刻机设备中,ASML公司是唯一的供应商。Gartner数据显示,2020年,ASML在全球光刻机...