2.5亿元!浙江大学大批采购仪器
近日,浙江大学发布64项仪器设备采购意向,预算总额达2.50亿元,涉及扫描探针变温原位测量系统、聚焦离子束电子束双束显微镜、多离子源-多检测器飞行时间二次离子质谱、微量吸附量热仪、散射近场原子力显微镜等,预计采购时间为2024年10月~2025年6月。浙江大学2024年10月~2025年6月仪器设备采购意向汇总表...
【新高】中芯国际全年资本支出上调至43亿美元
按不同工艺划分来看,14nm工艺贡献营收占比上涨到了1.3%,其他工艺的收入占比分别为150/180nm(33.4%)、55/65nm(32.6%)、40/45nm(14.9%)、110/130nm(5.4%)、250/350nm(4.3%)、28nm(6.5%)、90nm(1.6%)。可以看到,较为先进的28nm和14nm工艺营收占比都在同步增长。关于中芯国际今年第1季度各大...
预算1.77亿元!西北工业大学近期大批仪器采购意向
盒式天平:Y向100-1500N;X向50-600N;Z向100-500N;Y向力矩5-50NM;X向力矩10-100NM;Z向力矩10-150NM杆式天平:Y向100-1500N;X向50-1500N;Z向50-500N;Y向力矩5-50NM;X向力矩10-300NM;Z向力矩5-50NM。1502025年3月100KN和250KN液压伺服疲劳试验机名称:100KN和250KN液压伺服疲劳试验机...
预算4.07亿元!中国科学院微电子研究所近期大批仪器采购意向
主要目标:波长范围193-1000nm;可采集800个数据点;配置自动样品台和微光斑(300um);最快扫描时间0.3s单点晶圆尺寸200mm。采购数量:1台。采购标的所需质量:不同材料薄膜厚度检测精度高、片间相同材料相同厚度薄膜检测误差3%以内、片内检测速度快。服务、安全、时限要求:提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实...
群联电子正在准备E26 Max14um:新款高端PCIe 5.0主控芯片
PS5026-E26Max14um-为了提高容量和加速性能,采用I/O+技术的PCIe5.0主控,拥有同类产品中最强大的性能,提供了14.7GB/s的连续读取速度,在所有PCMark10和3DMark存储测试中均超过1000MB/s。PS5027-E27T-新一代低功耗、高性能PCIe4.0SSD主控,采用2230外形,经过优化,可缩短SteamDeck、ROGAlly...
158-parker 406XR系列模组 滚珠丝杠的工作原理
0.13Nm,18oz-inch符合规格:洁净室(1000级-标准/10钢带盖(IP30)防护等级:级-可选)是(编码器:0.1um,0.5umP30或1um分辨率)江苏勃曼工业控制技术有限公司相关问题:1、滚珠丝杠滚珠破损如果滚珠丝杠滚珠破损,可能会导致传动效率下降、噪音增加、甚至卡死(www.e993.com)2024年10月19日。需要及时更换破损的滚珠,或者更换整...
154-parker 406LXR高精度直线电机平台 滚珠丝杠型号及参数
是(编码器:0.1pm,最大运行扭矩:0.11Nm,16oz-inch包括其他保护功能:0.5um,1um或5um分符合规格:洁净室(1000级-标准/10级-可选)回馈类型:率光学增量/弦输出)防护等级:IP30如遇产品选型,寿命计算,结构设计等服务,请联系我们沟通。
3D芯片,续写摩尔定律|晶体管|低功耗_网易订阅
晶体管密度:过去30多年,晶圆制造的制程从3um提升到3nm,尽管每代制程下的晶体管密度依旧在提升,但是提升速度越来越慢。据TechCenturion数据,台积电16/10/7/5nm制程对应晶体管密度分别为每平方毫米28.2/60.3/96.5/171.3百万个。另外据TechInsights数据,台积电N3/N2/14A制程对应晶体管密度分别为每平方毫米283/313/39...
厦门君特携1625nm/1650nm OTDR 组件,蝶形激光器组件出席CIOE2021
OTDR组件:(波长:850nm.1300nm.1310nm.1550nm.1625nm.1650nm),butterfly蝶型组件(CWDM.DWDM.MWDM.LAN-WDM.SLED.窄带光源)探测器组件(各种芯片尺寸订制切割30um,75um,300um,1000um,2000um,5000um,10000um)传感器件。特别是1625nm/1650nmOTDR组件,该产品具备功率可以高达200mW,完善了厦门君特OTD...
台积电公布其5nm工艺的详细信息
到IEDM2019,他们对经过1000小时HTOL并将于2020年1H投入量产的工艺进行了详细描述。据介绍,这5nm的技术是在7nm基础上微缩的全节点工艺,它使用智能的微缩主要设计规则(栅极,鳍和MX/Vx的间距)以提高良率,同时他为这个工艺带来了0.021um??的SRAM单元,同时还有一个优于计划的缺陷密度(logicdefectdensity)d...