长江存储突破QLC闪存寿命!做到4000次P/E

资料显示，SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多，MLC一般在1000-10000次范围，TLC目前最高就只能做到5000次，QLC的话一般不超过1000次。不过，长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计，走出了属于自己的特色道路，闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC3DNAND闪存“X3-6070”，就有着极为优秀...

打破“不可能三角”!长江存储PC411 SSD成为OEM的完美新宠

更关键的是,通道数量减半可以节省25%的功耗发热,无缓存的HMB方案也可以兼顾高性能、低功耗(同时节省成本),官方标称PC411可以低至4W,甚至无需散热片就能稳定运行,而且对电池续航也极为友好。因此,长江存储PC411有着理想的身材、性能、功耗、成本,性价比极高,非常适合放入笔记本、迷你机这类产品,可以说天生就是做O...

长鑫存储开始以18.5nm工艺生产DRAM芯片,初始产能每月10万片晶圆

在受到各种限制的情况下,长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐,甚至还加快了速度。据DigiTimes报道,长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片,第一期生产线已经接近满负荷运转,初始的月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升,到2024年底,每月产能还会增加4万片晶圆。这意味着,长鑫存...

长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?

所以目前长江存储只有少量232层闪存生产线,还是禁令之前就建好的,目前主要还是生产128层技术,近日有媒体报道称,长江存储又推出了一个120层技术,但性能不比232层差,真假未知,但说明又有了突破。从市场和产能来看,长江存储目前的市场约占全球5%左右,产能大约也在6%左右,但在持续扩产,未来的计划是达到全球15-20%的...

年入38亿,武汉明星独角兽要IPO了|新芯|ipo|杨士宁|武汉市_网易订阅

公司在浮栅工艺上制程节点涵盖65nm到50nm,其中50nm技术平台具有业内领先的存储密度;在电荷俘获工艺方面为客户一代码型闪存(产品A)全球唯一晶圆代工供应商。业绩方面,2021年、2022年、2023年以及2024年第一季度(以下称“报告期内”),新芯股份分别实现营收31.38亿元、35.07亿元、38.15亿元和9.13亿元;归属于母公司股东...

国产替代加速,长江存储成功用国产设备造出3D NAND芯片

出货量已占国内市场份额超过80%，产品主要涉及ArF、KrF和i-line领域，其已具备90nm及以下的芯片制造能力(www.e993.com)2024年11月25日。可以预见，随着国产设备技术不断突破，将进一步助力国产替代。而长江存储等国内厂商进一步使用国产设备，也能助力设备制造商更快地发现和解决问题，又将推动国产半导体设备的技术进步。

江波龙2023年年度董事会经营评述

而到2025年车均搭载存储将达16GBDRAM和204GBNAND,分别较2021年水平提高3倍和4倍。公司认为,若考虑AI应用在智能汽车落地带来的影响,未来几年车均搭载存储的标准有望超过目前的普遍预期。4)AI应用人工智能技术的快速发展已经渗透到各个领域,对存储市场产生了深远影响。根据IDC与OPPO联合发布的《AI手机白皮书》...

江苏微导纳米科技股份有限公司

当技术节点向14nm甚至更小的方向升级时,ALD设备的必要性更加凸显。目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。②ALD技术在存储芯片DRAM、3DNAND需求越来越大...

北京君正获3家机构调研:公司产品目前在汽车领域,DDR4、LPDDR4已经...

随着智能化和车辆配置的提高,大容量存储需求越来越大。目前我们DRAM最新工艺是25纳米,DDR4、LPDDR4产品的最大容量为8G,更高容量的产品需要更新的工艺,同时8G的产品在25nm下不具备很好的性价比优势。所以产品迭代到21纳米之后,我们就能够提供更大容量的产品,而且产品的性价比也会有进一步的提升。这会使我们的产品能...

CFMS | MemoryS 2024圆满落幕!产业大咖精彩演讲内容合集

CFMS|MemoryS2024已经圆满落幕,期间包括三星电子、长江存储、SK海力士、Solidigm、铠侠、美光、高通、慧荣科技、电子元器件和集成电路国际交易中心、英特尔、Arm、江波龙电子、群联电子、德赛西威、宜鼎国际、联芸科技、忆恒创源、大普微、宏茂微、中国电信及CFM闪存市场发表了重要演讲。