工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列

《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特...

禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

据CNews报道，俄罗斯工业和贸易部还制定了一项电子制造设备的国产替代计划，预计2030年实现65nm技术，若俄这一计划达到预期效果，那么中低端制程也能实现自我供给了。相比俄罗斯的速度我国其实快了很多，ASML曾表示就算给我们图纸也造不出光刻机，如今套刻精度≤8nm的氟化氩光刻机和套刻精度≤25nm的氟化氪光刻机横空...

小米的3nm和燕东微用的光刻机

一个冷知识，在排行榜中排到第五名的传音，七成销量在非洲，用的也是国产芯片，主要是6nm制程的紫光虎贲系列。当然了，自研芯片是一条充满曲折的道路，华为也失败过，早期自研芯片只敢放在廉价的定制机上。小米遇到各种挫折也属正常。据报道，苹果正在和台积电洽对接2nm制程技术。在国产光刻机迟迟不见动静的情况下...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

我们这里只是简单说下人家得出的结论。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

相比之下,ASML浸润式光刻机TWINSCANNXT1980Fi分辨率≤38nm(www.e993.com)2024年11月2日。据民生证券研报,该型号可实现2.5nm的套刻精度(MMO)。据东海证券援引ASML官网数据,2023年各类光刻机均价为EUV(17386万欧元)、ArFi(7196万欧元)、ArFdry(2742万欧元)、KrF(1192万欧元)、i-Iine(399万欧元)。

国产光刻机取得重大进展 氟化氩光刻机套刻≤8nm

从工业和信息化部在官网公布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》来看,国产光刻机已取得重大突破,氟化氩光刻机套刻≤8nm,晶圆直径300mm,照明波长193nm,分辨率≤65nm。工信部在印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,

国产光刻机突破28nm了吗

国产光刻机直接升级成浸没式,在数值孔径没有提升的情况下,表现如何?继续套用公式,其CD=(0.25×193)/(1.44×0.75)=48.25/1.08=44nm,仍然到不了“28nm光刻机”的分辨率要求。所以,回到前面说的,我们不仅要投入浸润式光刻机研发,也需要在镜头上去突破,提升物镜的sinθ值,提升数值孔径。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

中国光刻机重大突破,概念股大涨!茅台再创阶段新低,一度跌破1.6...

其中氟化氩光刻机显示为分辨率≤65nm、套刻≤8nm;氟化氪则显示分辨率≤110nm、套刻≤25nm。不过需要注意的是,套刻精度为“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺约1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,大致相当于20年前ASML的1460K。28nm虽然不是特别先进技术,但意义依然重大,因为这是...