发力碳化硅领域,1200V SiC MOSFET强劲助力电动汽车加速发展
通过创新工艺技术,公司半导体业务的SiCMOSFET产品组合在多个参数上实现了一流的性能:1出色的导通电阻温度稳定性在25至175范围内,RDS(on)标称值仅增加30%2出众的综合品质因数FoM综合损耗更小,效率更高,增强器件可靠性3出色的阈值电压稳定性均衡的载流性能,高稳健性,能够延长产品寿命4低体二极管...
多图预警 | 如何正确理解功率器件的FoM?
*基于30~40mohm、TO-247-3L和TO-247-4L封装SiCMOSFET的公开Datasheet数据(截至2022年4月)在硬开关、软开关等细分应用中,电源设计人员关注的FoM指标也有所侧重。通过以下汇总的数据表结果,可以看出:与同类SiCMOSFET相比,Qorvo第4代SiCFET系列在硬开关和软开关电路中提供更低的导通损耗、简单的栅极驱动和更低...
Vishay推出第五代功率MOSFET
VishaySiliconixSiSD5300DN采用源极倒装技术3.3mmx3.3mmPowerPAK??1212-F封装,10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71m,导通电阻与栅极电荷乘积,即开关应用中MOSFET关键的优值系数(FOM)为42m*nC,达到业内先进水平。日前发布的器件占位面积与PowerPAK1212-8S封装相同,导通电阻降低18%,提高了功率密度,...
扬杰科技、新洁能取得SiC、GaN相关专利
此前,在第三代半导体领域,扬杰科技全面聚焦SiC产业,其2023年年报显示,公司已开发上市G1、G2系SiCMOSFET产品,型号覆盖650V/1200V/1700V13mΩ-1000mΩ,已经实现批量出货,其中1200VSiCMOSFET平台的比导通电阻(RSP)已做到3.5mΩ.cm2以下,FOM值达到3300mΩ.nC以下,可对标国际水平。2023年,扬杰科技还开发了...
...电阻|导通|阻值|漏极|英飞凌|mos管|mosfet_网易订阅
MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标,也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说,MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数,单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系,因此...
新洁能2023年年度董事会经营评述
2023年芯片代工供应稳定,同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂,目前SiCMOSFET产品和GaNHEMT产品均已实现工程产出(www.e993.com)2024年11月10日。其他部分工作完成如下:1)项目管理试点推行(比亚迪专项、光伏专项)达成预期;2)降低封装成本,针对十余家封装厂进行全面议价;3)完成STOLL、双面散热等新品引入;4)配合完成汽车电子客户审核导入及普通产品...
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
1)高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在电压为限定条件时,功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小,该器件性能更优,技术更加先进。
...正跑出一批“黑马”|氮化镓|二极管|逆变器|igbt|mosfet_网易订阅
MOSFET系列产品该系列产品为650V耐压等级的超结MOSFET,FOM(Rds_on*Qg)因子已经达到行业领先水平,快恢复体二极管可以实现软开关和H桥线路的广泛应用,提升系统设计的可靠性,优化的栅极电阻设计帮助客户在开关速度和EMI性能之间取得良好的折中。浙江翠展微电子有限公司...
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界...
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。VishaySiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR3.3mmx3.3mm单体封装中集成高边和低边MOSFET,导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系...
高压SiC MOSFET研究现状与展望
高频品质因数(HF-FOM)是高压SiCMOSFET另一个主要性能指标,它一般是RON,sp和比栅漏电荷QGD,sp的乘积,反映了器件动态特性的优劣程度,其中影响栅漏电荷的主要因素是转移电容的大小。对于高压SiCVDMOS来说,目前有几种技术和结构可以改善器件的HF-FOM:1)中心注入技术(CI),如图3(c)所示,即在栅氧下...