2024英飞凌宽禁带论坛倒计时丨多款创新产品首次亮相
2024年7月3日 - 电子工程专辑
这两款封装可以带来更高的功率、更大的电流,采用1200VCoolSiC??MOSFET芯片,以更好地满足新兴应用的要求。目前,1200VCoolSiC??MOSFETM1HEasy模块拥有丰富的拓扑结构,包括半桥、全桥、三相桥、三电平以及boost。其中半桥的Easy3B模块,最小Rds(on)为2mΩ。本次展台将首次展示最完整的Easy碳化硅产品线全阵...
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国芯思辰|国产第二代碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
2023年8月2日 - 网易
新一代直流充电桩拓扑电路会把原来的PFC维也纳整流升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFETB2M040120Z的三相全桥PFC整流。这样将大大减少功率器件数量,简化控制电路的复杂性,同时通过提高开关频率来降低电感的感量,尺寸和成本。DC/DC全桥LLC部分,升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFETB2M040120Z的DC/DC电路,可以从原来的三电...
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BASiC基本半导体碳化硅SiC MOSFET特约代理
2023年4月4日 - 国际能源网
BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平
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晶福源新一代充电桩模块通过国网开普实验室检测
2016年9月9日 - 世纪新能源网
近日,晶福源自主研发的15KW新一代宽范围恒功率充电桩模块ECH15K750B,通过国网开普实验室的全面检测。该15KW充电模块采用DSP全数字化控制,维也纳+LLC全桥三电平拓扑结构,技术领先,转换效率高,输出电压范围宽至200V-750V;恒功率+恒电流输出方式,并采用专利技术对低电压段的输出功率进行提升;平均输出功率达13.2KW;与...
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