7nm芯片后,工艺制程已不重要了,这大大利好中国芯

即哪怕我的芯片制造工艺,没什么变化,但只要我通过工艺改进,或结构改进,让性能提升了,或功耗降低了之类的,我也一样认为是工艺进步了。特别是到14nm之下时,这个等效工艺就越来越厉害了,因为三星、台积电、intel们的工艺,已经是没有特别的对应关系了。三星说这个工艺是5nm,而英特尔可能认为三星的5nm,连自己的10nm...

中芯国际摊牌了:高端手机芯片产能,已被抢完了

这一积极的表现表明，由于中芯国际在芯片制造工艺上取得了突破，进入10nm以下的制程，预计未来将提升至9nm。这时，当GloFo和UMC还在争夺第二的位置，中芯国际甚至还有待超越之势。仿佛预见到这一消息，中芯国际高管在宣布了自己的业绩后，曾态度坚决的表示:“我们不会满足于现状。我们将会对如今的制程进行改进。”...

台积电高管:中国芯片,虽然不那么先进,但已经够用了

美国一直在打压中国芯片产业，希望能够锁死其逻辑芯片制造水平在14nm，为此拉上日本、荷兰，一起对半导体设备进行限制。在美国看来，一旦没有了先进的半导体设备，那么就相当于无米之炊，用手肯定搓不出先进芯片来。不过，很明显，中国芯片产业，并没有被吓住，实施了两手都抓的态度。一方面是在成熟芯片上，不断的...

国产EDA已准备就绪,自研工艺有望使国产芯片实现突破

其次,国产EDA在支持先进工艺方面还有待提升。以前,国产EDA大多只支持到28nm工艺,许多流程甚至不支持14nm工艺。此外,国外的一些EDA大厂实际上也是IP大厂,拥有各种IP核供芯片厂商使用,使用这些IP核可以降低门槛、提高效率。正是因为这几方面的原因,国外EDA才能够垄断市场,而国产EDA则只能在后面追赶。所以EDA国产化不会一...

国产半导体,逆袭中!

如上海微电子的国产28nm光刻机,已达到了第四代光源水准,这对于提升国内中端芯片制造能力具有重要意义。中国新能源汽车产销量目前在全球占比六成左右,96%以上都是28nm的成熟制程芯片。换言之,如果中国具备越来越强的成熟制程生产能力,包括新能源在内的一般家用消费品,可以全面国产。

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

一般光刻工艺的基本步骤光刻环节直接决定芯片的制成水平和性能水平,耗时占整个制造环节的一半,成本占据芯片生产的三分之一(www.e993.com)2024年11月9日。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。

大势已定!国产光刻机迎里程碑式突破,外媒:彻底挡不住了

套壳误差与芯片的良率和性能息息相关，而8nm误差的水平，则能够用于20nm及其以上制程工艺芯片的制造。也就是说，咱们的这台国产光刻机的主要应用范围是成熟芯片领域。当然，通过多重曝光技术也并非不能实现14nm/7nm芯片的制造，只不过，良率和成本都会受到影响，划不来。事实上，早在两年前，龙芯工程师胡伟武就曾...

FSD倒计时?特斯拉HW4.0意味着什么?

同时,为了让图像大数据传输更快,CPU内存从LPDDR4升级到GDDR6。另外,芯片制造工艺也得到提升。『平面与立体影像的对比』特斯拉摄像头看到的影像也从二维变成了三维,看到的物体更加立体,可以更好的还原一个真实的世界。无论是智能驾驶辅助系统,还是主动安全系统,都可以帮助车辆更好的判断周围的物体,物体从一个点变成...

先进封装专题报告:先进封装发展充要条件已具,关键材料国产替代在即

SoC在设计和制造方面都遇到技术和经济效益的瓶颈缩短芯片间通信距离能够大幅度提升整个功能系统效率,SoC(SytemonChip)的方案将不同芯片功能集成在一颗芯片上,使得芯片间通信在零级封装就已经完成,通信效率提升到极大水平,因此我们看到过去几年在摩尔定律的引领下,芯片制程不断演进,从而使得单芯片上晶体管数量...

江丰电子2023年年度董事会经营评述

在其应用领域中,超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高,通常要求达到99.9995%(5N5)以上,平板显示器、太阳能电池用铝靶的金属纯度略低,分别要求达到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上。目前,公司生产的铝靶已经广泛应用于超大规模集成电路芯片、平板显示器、太阳能电池等领域。