国产光刻机公布,反击荷兰新禁令,相当于ASML20年前的技术水平?

从干式到浸润式光刻机的技术演变来看，193nm波长和65nm分辨率表明，国内氟化氩光刻机的技术水平大概处于2007年以前的状态。此外，有一个套刻精度不超过8nm，这种套刻是多重曝光技术达到的最高精度，一般与实际量产工艺的比例约为1:3。这意味着，按照这台光刻机的理论数据，其实际的量产能力可能达到28nm工艺。工信部...

禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

尽管国产光刻机仍与世界先进水平有不小的差距，但28nm及以上的水平已经够用了，除了智能手机、显卡、超级计算机等对计算能力需求较高的设备之外，成熟芯片几乎霸占了大部分市场。对此各位网友有何看法，欢迎留言讨论

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色曾几何时,我们在光刻机领域,始终将ASML作为主要的追赶对象,包...

国产光刻机取得重大突破 深市产业链公司迎来发展新机遇

民生证券表示,海外半导体设备供给持续高增满足短期扩产需求,国产光刻机技术亦在持续突破,利好半导体设备自主可控的长期发展,继续看好国内晶圆厂的投资增长和国产半导体设备的国产化机遇。

国产氟化氩光刻机公开,回应荷兰新禁令,相当于ASML20年前水平?

根据干式光刻机向浸润式光刻机的技术发展趋势来看，国产氟化氩光刻机的性能应当相当于2007年之前的水平，具备193nm波长和65nm分辨率。其次，还有一种套刻精度低于8nm。套刻指的是通过多重曝光可以实现的最高精度，通常与实际量产工艺之间的关系大约为1:3。换句话说，这台光刻机根据纸上的数据，大致能够生产28nm...

大量采购ASML光刻机:国产光刻机正经历黎明前的黑暗

01国产光刻机在突破消息不断涌现的同时,仍面临较大差距,中微公司创始人尹志尧表示,国内半导体设备可能在5-10年内达到国际先进水平(www.e993.com)2024年11月2日。022024年第二季度,阿斯麦订单量增至56亿欧元,同比增长约24%,中国区市场是阿斯麦第一大收入来源,占比49%。03然而,国内光刻机市场目前没有平替产品,大量进口ASML光刻机意味着国产...

ASML可远程锁死光刻机,我国如何关上半导体制造“后门”

此外,上海微电子还在全力攻关28nm技术,通过双重曝光可以制造14nm芯片,尽管良品率有所下降。中科院光电技术研究所研制的国内首台新型超分辨率光刻机也已投入生产,采用365nm波长光源,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。虽然国产光刻机在某些节点上取得了突破,但整体技术水平仍需提升。目前,国产光刻机主要集中在90nm...

项立刚:下一代光刻机一定由中国先制造,光刻机或将实现弯道超车

不仅让我们在半导体领域快速发展,还会在各大领域所向披靡。无论是低端产业,还是高端产业中国都会把它做得更好。国产芯片的归来,是一个全面发展、全面开花的局面,更是能够实现超车的局面。“最严禁令”中国都不怕,还怕攻克一个小小的光刻机吗?因此,中国光刻机有望达到世界先进水平??!

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

目前NA最大为1.35(ASML的湿法DUV),EUV光刻机正在从0.33NA向0.55NA突破。<span></F2(157nm),且系统升级更便捷,浸没式DUV脱颖而出。目前NA最大为1.35(ASML的湿法DUV),EUV光刻机正在从0.33NA向0.55NA突破。浸没式光刻技术原理简析DUV光刻机想要生产更先进制程芯片,除了浸没式外,就必须突破多重曝光技术的...

光刻机国产化疑似大突破,光刻胶三大龙头脱颖而出

如果光刻机国产化成功,这里面是一定有大机会的。A股上的光刻机标的稀缺,所以最佳的替代选择是光刻胶,因此君临赶紧翻起来。光刻机和光刻胶,是芯片光刻过程中最重要的两样东西,一个是设备,一个是耗材,其性能直接决定着芯片制造的精度和质量。技术门槛在芯片板块中也是最高的,结果就是行业的高度垄断性。