8种开关电源MOS管的工作损耗计算
在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即:VDS_peak≤90%*V(BR)DSS注:一般地,V(BR)DSS具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之V(BR)DSS值作为参考。2、漏极电流其次考虑漏极电流的选择。基本原则为MOSF...
吃透MOS管,看这篇就够了
做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放,运放分析的虚连、...
有效降低功率MOS占板空间,小米、闪极都在用
它能够在相同的电压下提供更大的电流,实现更高效的开关操作,满足低压大功率应用的需求。同时在无线充电领域,DrMOS展现了其高效优势。无线全桥MOS采用四个MOS管构成全桥拓扑,以精准控制无线充电的传输功率,优化整机效率和降低损耗。全桥DrMOS在无线充中的应用充电头网了解到,在以往的拆解案例中,伏达、南芯科技旗...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高...
MOS管基础及选型指南
每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时,对于N沟道的电源输入为D,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。红色箭头指向G极的为NMOS,箭头背向G极的为PMOS...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理(www.e993.com)2024年9月9日。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
图3.以MOSFET为受控开关2.比较器控制MOS管比较器的输入电阻极高,对电源及负载影响很小。图4.比较器控制MOSFET3.比较器基准电压通过齐纳二极管Z1给比较器反相端提供稳定的基准电压,电阻R1使Z1有合适的反向击穿电流,使其工作于稳压区域。图5.比较器基准电压...
3种电池充电器反向保护电路介绍
PMOS管版本具有较高电势,而NMOS管版本具有较低电势,因此MOS管的物理”漏极“成为电源。MOS管在两个方向上都能很好地传导电流,因为它们在三极管区域中是电对称的。使用此方法时,晶体管的最大VGS和VDS额定值必须高于电池电压。传统负载侧反接保护...
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
1、拆解报告:高能侠1200W便携式户外电源PFC控制器意法半导体L6562A意法半导体L6562A是一款在过渡模式下工作的电流模式PFC控制器。它的外形与前代产品L6561和L6562相同,但性能有所提高。L6562A图腾柱输出级可提供600mA源电流和800mA灌电流,适合驱动大电流MOSFET或IGBT。另外该器件的功耗极低(启动前最大...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
上升时间(tr):定义为集电极电流从0.1IC上升到IC以及集电极-发射极电压从0.9VCE下降到0.1VCE的时间。关断时间(toff):由三个部分组成,延迟时间(tdf)、初始下降时间(tf1)和最终下降时间(tf2)。延迟时间(tdf):定义为集电极电流从IC下降到0.9IC并且VCE开始上...