顺络电子:公司产品线包括功率电感、钽电容等,可应用于数据中心...

公司回答表示:公司主要从事片式电感、片式敏感器件(包括热敏电阻、压敏电阻和钽电容)、LTCC器件、传感器等新型片式被动电子元器件的研发、生产和销售,拥有四大产品线系列——磁性器件、敏感及传感器件、微波器件、精密陶瓷,主要使用于“整机的信号处理功能”及“整机的电源管理功能”等领域。其中各类功率电感(包含模压一...

高频介电常数和介质损耗如何计算及由来

平板电容在空气中的电容量为CO=εOS/D4;当平板电容二极片之间夹入绝缘材料时,平板电容二极片之间的电容量为CX=εrS/D2,如果令CO=CX。则可获得下面公式2的绝缘材料介电常数计算式(εO≈1)。3.εr的测量利用LJD-B型或LJD-C型高频Q表和S916型介电常数/介电常数数显测量装置...

5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除

通过以上公式也可以计算得到左侧IMD3H3(ω1-ω2)、H3(ω2-ω1)的表达式。需要说明的是,由于A2(ω1-ω2)及A2(ω2-ω1)位于零频两侧,二者阻抗不同,会导致第三步左右IMD3混频结果不对称,这也是左右ACLR不对称的来源。当信号带宽变大时,即ω1与ω2频率相差变大。如果不加以控制,A2(ω1-ω2)与A2(ω2...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

我们可以首先用以下粗略的近似公式对某个MOSFET进行评价,然后通过实验对其性能进行验证:PDSWITCHING=(CRSS×VIN??×fSW×ILOAD)/IGATE其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数),fSW为开关频率,IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。

技术向 | 基于功率系统的SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试及计算

t0~t2阶段,驱动从器件栅极电容抽取电荷,此时的若不考虑栅极回路杂散电感的影响,可以看作一阶RC串联放电电路,Vgs从开通电压下降到米勒平台的时间tf1计算公式如下,(1)(2)其中Vcc为驱动的开通电压,Vss为驱动的关断电压,数值为负,Rint为器件内部栅极电阻,Rg为外部栅极电阻,Cgs为栅极电容,Qg为器件对应Vcc和Vss之间...

高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√

例如,数据手册中20kHz时的工作电流(IPDD)为0.5mA,静态电流(IQDD)为0.05mA,100kHz时的IDD按以下公式计算(www.e993.com)2024年11月24日。FSW为目标频率,FSW_DS为数据手册中的指定频率。如果数据手册中指定了IDD(或IBS)的负载条件,例如1nF电容,则可以通过下式消除1nF电容的电流影响。

超级电容器,我叫你一声“电池”,你敢答应吗?

对于电容器而言,其物理储电的原理可以实现装置的快速充放电,即满足实践角度的高功率需求。回顾前面的公式(5),由于电容器的结构限制,从结构角度的提升主要通过缩减正负极之间的距离d来实现,但距离太小容易发生短路,造成电容失效;而从材料角度的容量提升主要通过增加电介质的介电常数来实现,但由于电介质的分子特性,本身...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn三电容器串联:C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)2电容的应用????1按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器;????3按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器;...

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

调整后的tav由以下公式给出:tav(de-rated)=L*Ipk(fail)*X/Vav。降低额定值的Ipk函数由Ipk=B*tav-α给出,其中新的降额系数B可通过以下方式计算:B=A*X*(1/X)-α,其中X是降额百分比。X值通常是保守的,业内通常为大约50%-75%之间。

详解开关电源 8 大损耗

为了验证二极管损耗计算公式,图7显示了典型的降压转换器中PN结的开关波形,VIN=10V、VOUT=3.3V,测得IRR(PEAK)=250mA、IOUT=500mA、fS=1MHz、tRR2=28ns、VF=0.9V。利用这些数值可以得到:该结果接近于图7所示测量结果358.7mW。考虑到较大的VF和较长的二极管导通周期,tRR时间非常短,开关损耗...