一线工程师眼中的国产光刻胶
2022年2月17日 - 投资界
*步要做的是调节光刻胶的喷量,一般来说光刻胶单次喷量要控制在1.0cc～2.0cc左右,光刻胶量过少容易产生poorcoating(即常硅片边缘曝光中出现的PR涂覆不完全的情况),直接影响整个光刻过程。第二步,是光刻胶膜厚,膜厚要考虑的是整个光刻胶的profile,不同的fab厂要求不一样,大部分要求光刻胶膜厚的范围控制...
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量测设备行业研究报告:细致检测攻坚克难,精准度量引领进步
2022年12月5日 - 腾讯新闻
此外,关键尺寸测量有助于实现工艺的均一性和稳定性。因为集成电路关键尺寸的变化,会反映出刻蚀、光刻等设备和工艺的波动偏差,或光刻胶等关键材料的性能变化。由于栅极是集成电路中最微小的结构,故测量关键尺寸通常需要关键尺寸扫描电子显微镜(CDSEM)和光学关键尺寸测量设备(OCD)。关键尺寸电子扫描显微镜用于测量关键...
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后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
2022年2月8日 - 电子工程专辑
这种方法通过在CVD法生长的阵列碳管上覆盖一层有机物热敏材料,然后施加合适的栅压来“关闭”半导体性碳管、施加合适的源漏偏压来使金属管产生大电流,从而使金属管发热并蒸发热敏胶,最后用氧等离子体刻蚀掉裸露出的金属性碳管[39]。该方法对碳管的损伤较小且选择性也较好,但受到热敏材料的种类和厚度限制,只适用于...
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