EMI之传导,不得不学

当电容二端的电位在时间之内存在一电压差时,则会根据电荷公式(电压/时间的变化,如图12)而产生一电流,如图11红色箭头所示,而任何产生的电流必需经由另一路径回到自己出发时的位置而形成一电流回路,如棕色虚线箭头所示,此因电压变动造成的电流回路就会引起电场干扰。图12因此,改善电场干扰的方式,就是减少其回路电流...

详解开关电源的电磁干扰(EMI)防制技术

因此,改善电场干扰的方式,就是减少其回路电流的方法,根据上面两个公式,我们可以藉由将耦合电容减小,像是减少两个导体之间接触的面积/增加其距离/变更中间的介质等方式来减少电容效应,或是减小电压差或时间变化率来减少电场感应。而对于磁场,我们可用安培右手/法拉第定律...

电磁学中的格林函数

公式(2)更为严格的推导，可利用自由空间的标量波动方程与标量格林函数的定义[1，2]：这里，k0=ω/c是自由空间的波数。将公式(3)乘以电位φ(r')减掉公式(4)再乘以格林函数g(r,r')，然后对源r'积分；考虑到拉普拉斯算符??2是对称算符(无穷远处边界上的面积分为0，即索末菲辐射条件)，便可得到...

电容在EMC中的应用

如果根据经验值选择1000pF电容,通过上述谐振公式计算,计算出其谐振点为5.03MHz,此时LC相当于短路,有用频率通过LC直接到地,达不到我们需要的效果,反而使电路工作不正常。我们应根据需要滤除的干扰频率来选择适当的电容值,通过谐振频率公式代入计算,C的取值为253.3pF,我们取最接近值即可。还需要注意的是,如果...

为IC设计减少天线效应

因此,天线效应的新模式需要考虑蚀刻时间的因素,如公式1。而通过插入二极管或桥接(布线)控制天线效应,更能有效预测天线效应,如公式2所示。AR=Q/A_Gate………公式1其中,Q指在蚀刻期间,向闸级氧化层注入的总累积电荷。v_g=v_(g_max)+αJ/C2π/(ω)((P+p))/((A+αa))………公式2...

icspec干货 | PCB设计经验之谈|电磁干扰|通孔|pcb|地线|回路_网易...

流经电路板走线的开关电流将引起电压发生变化,由于电路板走线存在寄生电感,则可采用如下公式计算电压的变化:V=Ldl/dt其中V=电压的变化L=电路板走线感抗dI=流经走线的电流变化dt=电流变化的时间因此,基于多种原因,在供电电源处或有源器件的电源引脚处施加旁路(或去耦)电容是非常好的做法(www.e993.com)2024年11月8日。

使用示波器进行电源抑制比(PSRR)测量

20Log(Vin/Vout)。有些工程师认为公式应为20Log(Vout/Vin)。但这个公式应该是用于计算增益(A)而不是抑制比。抑制比是增益的倒数。KeysightIn??niiVisionX系列示波器内置的波形发生器和功率测量选件使示波器首次能够执行此类频率响应测量。图2:对低压差稳压器执行电源抑制比(PSRR)测量的电路图。

干货|PCB设计经验之谈

流经电路板走线的开关电流将引起电压发生变化,由于电路板走线存在寄生电感,则可采用如下公式计算电压的变化:V=Ldl/dt其中V=电压的变化L=电路板走线感抗dI=流经走线的电流变化dt=电流变化的时间因此,基于多种原因,在供电电源处或有源器件的电源引脚处施加旁路(或去耦)电容是非常好的做法。

北京大学9位校友新当选两院院士

是单分子表面增强拉曼光谱的原因,也是其它基于纳米间隙效应研究的物理基础;他系统研究了单分子表面增强拉曼光谱的产生条件,解析了其主要机理;他推动多个相关重要研究方向的发展:提出了等离激元光学力和单分子捕获、表面增强拉曼与表面增强荧光统一的理论,发现表面增强光谱的纳米天线效应,研发了高真空针尖增强拉曼光谱系统,...

干货|详细讲解电磁干扰(EMI)

因此,改善电场干扰的方式,就是减少其回路电流的方法,根据上面两个公式,我们可以藉由将耦合电容减小,像是减少两个导体之间接触的面积/增加其距离/变更中间的介质等方式来减少电容效应,或是减小电压差或时间变化率来减少电场感应。而对于磁场,我们可用安培右手/法拉第定律...