收藏|抗结皮耐火浇注料的体积密度和理化指标

抗结皮浇注料的体积密度为2.4-2.5g/cm3,耐火度能够达到1790℃,它的化学成分中主要是SiC和SiO2,根据SiC和SiO2含量的不同,理化指标也存在着差异。当SiC和SiO2含量在55%时,在110℃下连续使用24h,它的抗折强度和耐压强度分别能够达到8Mpa和70Mpa,当温度提升至1110℃时,连续使用3h,它的抗折强度和耐压强度分别在9Mpa...

全碳化硅(SiC)高功率密度、高频率前瞻性充电桩电源参考设计方案

现有设计为2个板卡设计,功率:20kW,体积:2Ux5Ux9U,功率密度:2.5W/mm3。新设计目标:减少或消除内部总线电容,单板结构,降低无源元件和组装成本,利用SiCMOSFET,在不牺牲效率的情况下增加频率,只需使用两电平拓扑。3.种主流拓扑结构拓扑结构1:ViennaPFC+三电平移相全桥,三电平PFC实现了卓越的效率,但...

AI热潮背后暗藏的能源危机,GaN和SiC打开电源进化突破口

这款54VAC-DC的AI数据中心服务器电源,基于CRPS185外形规格打造,与纳微此前发布的3.2kWCRPS电源相比,在相同尺寸下,具有4.5kW的输出功率,效率增至97%以上,功率密度从98W/in??增加到138W/in??。纳微CRPS1854.2kW电源技术详解总结在生成式AI全面铺开的前夜,数据中心的能源危机悄然而至。数据中心的耗电量...

价格战将加速碳化硅在车载OBC的渗透

4)碳化硅器件具有3倍于硅基器件的热导率，散热性能更好，能够支持高功率密度并降低散热要求，使得器件体积可缩小至硅基器件的1/10，更轻量化。具体到新能源汽车的应用中，碳化硅相比硅基IGBT功率转换效率更高(ST测算为3.4%，小鹏测算为3-4%)，电动汽车续航距离可延长5-10%;按照蔚来工程师提供的数据，ET7...

天岳先进等5家碳化硅上市企业披露2024半年报

碳化硅MOSFET器件基于平面栅工艺,推出新一代自对准高电流密度产品,可实现优异的比导通电阻参数<4mohm2,损耗更低,同时兼容15V/18V驱动电压。该技术常用于光伏、储能、充电桩、电动汽车充电机、主驱动等电力电子场景,用以降低系统损耗、成本及体积等参数。

【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...

4)更小的面积,更小的能量损耗,实现高功率(www.e993.com)2024年11月9日。碳化硅器件具备更小的能量损耗,能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下,碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块,有助于提升系统的功率密度。2.碳化硅产业链包括上游衬底和外延、中游器件、下游应用以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生...

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...

①耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。②耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可...

【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...

根据电子发烧友网,目前国内碳化硅芯片在OBC的渗透率已经达到60~70%。充电桩为中低功率中高频场景(功率22~100kW,频率为50~100kHz),碳化硅耐高压和高频的性能优势正好适配直流快充桩的需求,同时还可降低拓扑复杂度,减少驱动配套电路数量与功率器件用量,从而降低充电桩的体积和系统成本。此外,对于充电运营商而言,应用SiC...

【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...

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未来国防拼什么?6大前沿新材料关键技术纺织不缺席

目前,用于防弹的三大陶瓷材料是氧化铝、碳化硅和碳化硼。氧化铝因其成本低而在防弹上得到更广泛的应用,但其防弹等级最低、密度也最大;碳化硼防弹性能最好、密度最小,但其价格最为昂贵,20世纪60年代就最先用来作为设计防弹背心的材料;碳化硅陶瓷材料在成本、防弹性能和密度指标方面均介于二者之间。因而最有可能成为氧化...