MIT新突破:无需半导体也能3D打印“晶体管”

01麻省理工学院的研究人员在3D打印技术方面取得了重大突破,成功制造出无需半导体的主动电子设备。02该设备由铜掺杂的聚合物薄层通过3D打印制成,内部交叉的导电区域使研究人员可以通过控制输入的电压来调节电阻。03尽管这些3D打印设备的性能暂时还无法与半导体晶体管相比,但它们已经可以用于一些基本的控制操作,比如调节电...

温度传感器的检测方法是什么

将电阻热信号转换为标准信号(如420mA或010V)。便于远距离传输和显示。三、半导体温度传感器的检测方法线性测量法:测量半导体材料的电阻或电压随温度变化的线性关系。通过查表或计算得到温度值。非线性测量法:测量半导体材料的电阻或电压随温度变化的非线性关系。通过查表或计算得到温度值。数字输出法:将...

日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件

新华社东京4月5日电(记者钱铮)日本一个研究团队研制出一种半导体纳米通道器件,给这种器件施加磁场能使其电阻值发生高达250倍的变化。这种现象未来有望用于开发新型电子元器件等。相关论文已发表在国际学术期刊《先进材料》上。日本东京大学近日发布公报说,该校研究人员领衔的团队研制出一种通道长20纳米的锗半导体纳米...

半导体参数分析仪的FFT分析

计算1GΩ电阻的噪声电流和约翰逊噪声。1GΩ电阻的热噪声理论计算值约为4E-6Vrms,使用公式:vn=sqrt(4*k*TEMP*1e9)。电阻器热功率噪声的实际公式为:P=4*k*TEMP*BW其中,k为玻尔兹曼常数,1.38E-23J/K,TEMP为环境温度(K),BW为带宽(Hz)。表3列出了resistor-noise测试的公式描述。时间、量程、点...

电机中的四大阻:电阻、磁阻、热阻、流阻

导体通常分为导体、绝缘体、半导体。电路的欧姆定律:电阻R=U/I电阻的串联:R=R1+R2+R3电阻的并联:1/R=1/R1+1/R2+1/R3二、磁阻磁阻Rm=A/(μ×L)μ为磁导率,可以认为ρm=1/μ为磁阻率,则Rm=ρm×A/L,形式与电阻一致。磁导率是材料对于磁场的响应程度,物理意义为单位长度中存在的磁偶极...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

电阻元件的电阻值大小一般与温度有关,还与导体长度、横截面积、材料有关(www.e993.com)2024年11月10日。衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数,其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。多数(金属)的电阻随温度的升高而升高,一些半导体却相反。如:玻璃,碳在温度一定的情况下,有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率,l为材料的长度,单...

基础知识之电阻器

※复合电阻器:在电路板上组合相同阻值或不同阻值的电阻器进而构成一个电路的电阻器。※感温电阻器(参考):利用根据温度变化阻值变化的特性的电阻器。通常情况下,与作为电阻器使用相比,更多地作为传感器使用。在用途上除了作为传感器使用之外,也可用于消除半导体元件温度偏移的温度补偿电路等。

清华大学精密仪器系、清华大学类脑计算研究中心长聘副教授李黄龙...

这些性质使得碲导电通道结构能够在电流的电场作用下生长出来,降低器件电阻,这可以与钠离子(Na+)的内流去极化过程对应;随之而来的电流焦耳热则会熔断碲导电通道,使器件电阻恢复,这与钾离子(K+)的外流重极化过程对应。在此基础上,清华大学类脑计算研究中心团队研制的碲半导体单器件,实现了对神经元阈上放电和阈下振...

高频数据线理论与设计基础-铜导体种类概述

导体:电阻率在102Ω·mm2/m以下半导体:电阻率为103~108Ω·mm2/m﹔绝缘体:电阻率为108Ω·mm2/m以上。目前常用的金属导体有金、银、铜等(如下表),考虑到导体的价格和导电性能,最常用的为铜导体。导电系数以铜为标准(100%),各导体比较如下表:...

发光二极管中的电阻器

镇流电阻可以使用以下公式计算:R=V?VLEDI=12?20.03=333Ω电阻器的阻值必须为333Ω。如果无法获得值,请选择下一个更高的电阻值,以将电流保持在LED限值以下。串联电路中的多个LED三个LED串联通常多个LED通过串联连接到单个电压源。这样多个电阻就可以共享相同的电流。由于流过所有串联LED的电流...