光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质
2024年10月13日 - 百家号
通常来说,ALD-SiO2膜是0.7nm,而热氧-SiO2得达到1.3nm。多晶硅里有掺杂的情况。现在多晶硅膜的厚度是120-150nm。从理论上说,多晶硅层越厚的话,就越不容易被烧穿,金属化烧结的窗口也就越宽,不过硅会产生明显的长波段寄生吸收,这会让短路电流有损失。把背表面多晶硅薄膜的表面掺杂浓度和厚度降低,能够...
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光伏行业研究:新技术快速渗透,催生辅材发展新机遇
2023年1月20日 - 腾讯新闻
透明导电氧化物(TransparentConductiveOxide,TCO)是可以导电的宽禁带半导体材料,在可见光范围的透射率高(80%~90%),电阻率低(10-5~10-4??·cm)。TCO薄膜的导电能力由载流子浓度决定,但载流子浓度较低时才能表现出较好的透明度,目前最常见的手段是通过掺杂平衡高透明度和高电导率。目前市场上研究较多...
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