高频介电常数和介质损耗如何计算及由来
Q1≈QL(5)当在空气介质电容器两端并联一个带损耗的电容器时,此时上面的公式不能再成立,如果这时Q表谐振时的Q值为Q2,则有此时的电容器的介质损耗因数为:空气介质电容器两端并联一个带损耗的电容器的等效电路图如下。R2、ΔC分别为带损耗电容器的等效损耗电阻和电容值。C1-ΔC为空气介质电容器的电容值。
E类功率放大器的负载网络响应和设计方程
让我们指定E类放大器的设备额定值和组件值,该放大器在1MHz下向50Ω负载提供1.66W的功率。假设输出电路的Vsat=0和Q为10的理想晶体管。首先,我们使用方程式6确定所需的电源电压:方程式7然后,我们应用方程式3来找到所需的分流电容:方程式8最后,我们通过将刚刚发现的值分别代入方程4和5来计算串联电容和电感...
层层分解电源电路,精确到每个元件,这样分析事半功倍!
CISPR22(EN55022)ClassB两种,FCC测试频率在450K~30MHz,CISPR22测试频率在150K~30MHz,Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation则必须到实验室验证,X-Cap一般对低频段(150K~数M之间)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但价格愈高),若X-Cap在0.22uf...
开关模式电源问题分析及其纠正措施:检测电阻器违规
该电阻器中的功率损耗测定方式为Ploss=I2L×RSENSE。设计人员可以通过减小检测电阻器的值来略微提高其效率。然而,这种方法代价不菲。如果电阻器的值太小,则来自检测电阻器的信号也会非常弱。这会导致信噪比(SNR)变差,因为噪声的幅度会变得接近转换后的电感电流信号。由于信噪比变差,检测电阻器无法再隔离主信号,...
ADALM2000实验:变压器
用于计算多绕组变压器的电气特性的公式制造商数据手册列出了器件的某些电气特性。对我们来说,首要的也许是绕组电感。对于功率转换应用,还会指定直流电阻(DCR)、最大rms电流(Irms)和饱和电流(Isat)。绕组串联:如需较高电感,可将多个绕组(WN)串联。电感提高时,储能和Irms保持不变,但DCR提高,Isat降低。
...磁脱扣机构专利,缩短导电回路长度,降低断路器回路电阻,降低功耗
本断路器的热磁脱扣机构,尤其适用于塑壳断路器,缩短导电回路长度,降低断路器回路电阻,降低功耗;保证双金属元件与热元件接触面积,增大断路器的热调稳定性(www.e993.com)2024年10月18日。同时便于用户带电维护和快速模块更换。本文源自:金融界作者:情报员
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
这个器件应该具有均衡的阻性和开关损耗。使用更小(更快)的MOSFET所增加的阻性损耗将超过它在开关损耗方面的降低,而更大(RDS(ON)更低)的器件所增加的开关损耗将超过它对于阻性损耗的降低。如果VIN是变化的,需要在VIN(MAX)和VIN(MIN)下分别计算开关MOSFET的功率耗散。MOSFET功率耗散的最坏情况可能会出现在最低...
技术向 | 基于功率系统的SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试及计算
t0~t2阶段,驱动从器件栅极电容抽取电荷,此时的若不考虑栅极回路杂散电感的影响,可以看作一阶RC串联放电电路,Vgs从开通电压下降到米勒平台的时间tf1计算公式如下,(1)(2)其中Vcc为驱动的开通电压,Vss为驱动的关断电压,数值为负,Rint为器件内部栅极电阻,Rg为外部栅极电阻,Cgs为栅极电容,Qg为器件对应Vcc和Vss之间...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓...
近期,北京大学团队研发增强型p型栅氮化镓(GaN)晶体管,并首次在高达4500V工作电压下实现低动态电阻工作能力。研究人员在GaN功率器件的表面引入新型有源钝化结构,在蓝宝石衬底成功制备具有该结构的新型器件。所制备的器件击穿电压得到大幅度提升,实现大于6500V的耐压能力。
设计DCM 反激式转换器
使用方程式12和方程式13计算RS的最大耗散功率,并根据方程式10计算Q1的导通损耗:方程式12方程式13FET开关损耗通常在Vinmax时最高,因此最好使用方程式14计算整个VIN范围内的Q1开关损耗:方程式14其中Qdrv是FET总栅极电荷,Idrv是预期的峰值栅极驱动电流。