突破极限亦或乌龙?浙大学者质疑Nature超低介电常数非晶氮化硼

这是因为除非在离子共振、电子共振等特殊情况下,电介质的介电常数应始终高于真空介电常数(k=1)。文献[1]中报道的a-BN与h-BN薄膜在不同频率下的介电常数[2]以上分析表明文献[1]中报道的超低介电常数被明显低估了,最可能的原因则是其半导硅基板作为底电极对电容的贡献。半导体中存在电导与极化的共存与...

介电常数和介质损耗有什么区别

1.介电常数(ε):某一电介质(如硅酸盐、高分子材料)组成的电容器,在一定电压作用下所得到的电容量Cx与同样大小的介质为真空的电容器的电容量Co之比值,被称为该电介质材料的相对介电常数。ε=Cx/Co式中:Cx一电容器两极板充满介质时的电容Co一电容器两极板为真空时的电容ε一电容器两极板为真空时的...

【精选知识讲堂】聊聊介电常数那些事

介电常数在PCB行业中习惯叫Dk和Df,这个我们一会儿再详细聊,先来看看它的英文。在英文中有一个单词(permittivity)和一个词组(dielectricconstant)都表示介电常数,而“dielectricconstant”直译过来就是“电介质常数”,由此可见,介电常数描述的是绝缘体在电场中的特性。我们先来回忆一下大学物理中的库伦定律。根据库伦定...

薄膜电容器的介电强度和介电常数

指轴向薄膜电容的两个电板之间以塑胶薄膜为电介质时的电容量与同样的两个电之间以空气为电介质或真空时的电容量之比。介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积,如果有高介电常数的材料放在电场中,电场的强度会在电介质内下降。薄膜电容的介电常数代表了电介质的化程度,也就是电介质对于电荷的束缚能力的...

2022 年度向特定对象发行 A 股股票 募集说明书 (注册稿)

电阻,电容,电感是三种最主要的被动元件,其中电容应用范围较为广泛.电容器是充,放电荷的被动元件,其电容量的大小,取决于电容器的极板面积,极板间距及电介质常数.根据电介质的不同,电容器可以分为陶瓷电容器,铝电解电容器,钽电解电容器和薄膜电容器等.其中陶瓷电容器因为具备包括体积小,电压范围大等特点,...

2024年南京邮电大学硕士研究生考试大纲

(1)静止电荷的电场:静电场的电场强度、电势及二者的关系;场强与电势的叠加原理;高斯定理;环路定理;导体的静电平衡问题;电介质的极化现象;各向同性介质中的D与E的关系与区别;电容、静电场能量(www.e993.com)2024年11月5日。(2)恒定电流的磁场:恒定电流、电流密度和电动势;磁感应强度矢量;磁场的叠加原理;毕奥--萨伐尔定律及应用;磁场的...

逻辑芯片,未来15年的路线图

因此,需要新的阻挡层材料、基于原子层沉积(ALD)的阻挡层沉积和/或非铜金属化解决方案。除了电阻可扩展性之外,TDDB还对给定低κ电介质的相邻线之间的最小空间施加了限制,从而迫使介电常数(κ值)缩放速度变慢。预计从2022年到2037年,六个节点的性能对于有线加载数据路径平均会有所改善,其中大部分改进...

高考物理必考两电路“动态分析问题”

(1)先写出公式C=Q/U=εs/4πkdE=u/d=4πkQ/εs(2)与电源接通则U不变,与电源断开则Q不变(3)插入电介质(即绝缘体)则介电常数增大,插入导体相当于两极板间距d减小。(4)技巧——认为一个电荷发出一条电场线,由电场线疏密变化判断E变化。

处理器生产技术的竞争 透视65纳米生产技术

曝光光源的波长决定着光刻技术的分辨率,根据瑞利定律,分辨率(W)可由公式1计算求得。公式1:W=k1λ/NA式中λ是光源波长,NA是数值孔径,k1是与曝光系统相关的常数。对于65nm生产工艺,若仍按通常的NA=0.6、k1=0.75计算,得到曝光光源波长(λ)约为60nm,此前的157nm光刻技术明显不能满足要求。

吹尽黄沙始见金,历述CPU架构与工艺

IBM声称,LowK材料帮助解决了芯片中的信号干扰问题。而Intel的目的是使用低介电常数的材料来制作处理器导线间的绝缘体。这种LowK材料可以很好地降低线路间的串扰,从而降低处理器的功耗,提高处理器的高频稳定性。下表为几种材料的相对介电常数:材料/比较项目LowkSiO2CVD*SiO2Highk...