行业深度!新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三位一体,高压...
SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体,相比传统的硅基材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,导热率是硅的4-5倍,击穿电压是硅的8-10倍,电子饱和漂移速率为硅的2-3倍,以上优点为SiC在高压平台应用提供了有力支撑。二是高压元器件需要重新满足800V以上的耐压要求。800V平台电压电流更高,电弧更严重,对继电器...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体,相比传统的硅基材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,导热率是硅的4-5倍,击穿电压是硅的8-10倍,电子饱和漂移速率为硅的2-3倍,以上优点为SiC在高压平台应用提供了有力支撑。二是高压元器件需要重新满足800V以上的耐压要求。800V平台电压电流更高,电弧更严重,对继电器、...
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...
按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:根据工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版)》,一类是具有高电阻率(电阻率>电阻率≥100,000Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,另一类是低电阻率(电阻率区间为15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底。碳化硅衬底可分为半绝缘型衬底和导电型衬底,具体情况如下...
露笑科技2023年年度董事会经营评述
碳化硅是第三代半导体最为主要的原材料,其具有高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高导电率、高导热率,可用于制造高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强的功率和射频器件,广泛应用于新能源汽车、5G通信、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。2023年在电动汽车,光伏新能源、...
战争矿藏之锑是“天使”还是“魔鬼”?|合金|玻璃|金属|铅锑|矿石|...
锑化钢具有极窄的禁带宽度、极小的电子有效质量和极高的电子迁移率,其在3至5微米光谱范围内拥有近乎百分之百的量子效率使其成为制备中波红外探测器的首选材料,常用于热成像相机、前视红外探测系统、红外制导系统和红外天文学等领域。由于锑化钢红外探测器能区分红外线较细微的差别,即使敌机背对太阳方向,锑化钢导引...
半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏
从四代半导体的性能参数对比看,第一代半导体表现出较低的禁带宽度、介电常数以及击穿电场,其优势在于低廉的成本以及成熟的工艺,因此更加适应低压、低频、低温的工况(www.e993.com)2024年7月31日。第二代半导体材料具有发光效率高、电子迁移率高、适于在较高温度和其它条件恶劣的环境中工作等特点,同时工艺较第三代半导体材料更为成熟,主要被...
关于物质导电性机理及电导率表征假设
其获得或失去电子的难易程度,决定了其导电性能优劣,其导电性能≥半导体物质的导电能能力,电磁波谱对电导率产生影响,主要表现在电磁波谱的两端最为明显,紫外hv照射产生适宜禁带宽度的半导体电子能级跃迁和红外即高温促进物质微粒的活动包括电子的活跃程度从而提高导电性能,即电导率增加……...
分光光度计对禁带宽度的表征
计算得到禁带宽度Eg方法2:漫反射法先用标准白板进行基线测试(R%模式),然后对样品进行漫反射测试,得到样品的漫反射光谱。由漫反射定律Kubelka–Munk函数可知:R,K,S分别代表样品的反射系数,吸收系数和散射系数另外,基于Tauc,Davis和Mott等人提出的公式,俗称Taucplot:...
三代半导体,爆发式增长的明日之星!
三代半导体的优势在于禁带宽度大、击穿电场强度高、包和电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强。通俗的讲,第三代半导体性能优势:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。为什么说第三代半导体是中国大陆半导体的希望?
碳化硅SiC行业研究:把握碳中和背景下的投资机会
2)碳化硅具有3倍于硅的禁带宽度,使得SiCMOSFET泄漏电流较硅基IGBT大幅减少,降低导电损耗。同时,SiCMOSFET属于单极器件,不存在拖尾电流,且较高的载流子迁移率减少了开关时间,开关损耗因此得以降低。根据Rohm的研究,相同规格的碳化硅MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大减低73%。3)涵盖...