8种开关电源MOS管的工作损耗计算
确定驱动电源电压Vgs后,可通过如下公式进行计算:Pgs=Vgs×Qg×fs说明:Qg为总驱动电量,可通过器件规格书查找得到。6、Coss电容的泄放损耗PdsCoss电容的泄放损耗,指MOS输出电容Coss截止期间储蓄的电场能于导同期间在漏源极上的泄放损耗。Coss电容的泄放损耗计算:首先须计算或预计得到开启时...
SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用
相比传统的焊接方式,激光焊锡技术能够显著降低封装尺寸和重量,同时减少开关损耗,提高系统效率。例如,在特斯拉Model3中采用的SiC模块就采用了激光焊接技术,实现了封装尺寸的减小和开关损耗的降低,进一步提升了车辆的性能和续航能力。综上所述,SiCMOSFET模块作为一种高性能的功率半导体器件,具有耐高温、高阻断电压、低...
R课堂|SiCMOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
后半部分(ton2)使用例3中的公式VDS2??0。在图1中,会因MOSFET的导通电阻和ID而产生电压VDS2(on),但如果该电压远低于VDS的High电压,就可以视其为零。图1.开关损耗波形示例综上所述,可以使用下面的公式(1)来近似计算开通时的功率损耗。同样,将关断时的波形也分为两部分,前半部分(toff1)使用表1的...
MOS管基础及选型指南
导通内阻关注NMOS的Rds(on)参数,导通内阻越小,NMOS管的损耗越小,一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。5、开关时间MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。6、封装根据PCB板的尺寸,选择合适的NMOS管尺寸,在板...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds可以由以下公式确定:公式中MOS管的反馈电容Crss,输入电容Ciss和输出电容Coss的数值在MOS管的手册上可以查到。电容充放电快慢决定MOS管开通和关断的快慢,为确保MOS管状态间转换是线性的和可预知的,外接电容C2并联在Cgd上,如果外接电容C2比MOS管内部栅漏电容...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
值得一提的的是,MOS管饱和导通后,漏源极(DS)之间的压降及损耗很小,保证电源电压几乎无损失地供给负载(www.e993.com)2024年9月9日。下面开始逐步构造电路:1.以MOS管为受控开关P沟道MOS管的阻尼二极管正极端连漏极(D),二极管负极连源极(S),要使MOS不至于无控导通,源极(S)必须接电源Us的正极。
程华电子:DC-DC 转换器的系统设计
开关管的导通损耗由式(3-1)得其中Rop和Ron由线性区MOS管的理论可得开关管的开关损耗由式(3-2)得其中Ctot为PMOS和NMOS总的等效寄生电容,并且开关管主要是处于线性区,因而有在忽略静态功耗PQ的情况下,转换器的功率损耗可以近似写为转换效率重写如下由上式可以发现转换器的功耗主要由开关管尺寸、负载...
小米13 Ultra原装90W氮化镓充电器拆解
初级开关管采用纳微NV6134A,这是一颗高集成的氮化镓功率芯片,内置驱动器以及高精度无损耗电流采样电路,消除取样电阻的损耗。NV6134A内置260mΩ导通电阻,耐压700V的氮化镓开关管,支持2MHz开关频率,采用6*8mmQFN封装,节省面积。充电头网通过拆解了解到,纳微GaNFast功率芯片此前已被摩托罗拉68W氮化镓充电器、戴尔60W...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
与BJT或MOS管相比,绝缘栅双极型晶体管IGBT的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益,以及更高的工作电压和更低的MOS管输入损耗。什么是IGBT?IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。
开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗
这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下:Pd_recover=VDR×Qrr×fs其中:VDR为二极管反向压降,Qrr为二极管反向恢复电量,由器件提供之规格书中查找而得。四、减少MOS管损耗的方法减小开关损耗一方面要尽可能地制造出具有理想开关特性的器件,另一方面利用新的线路技术改变器件开关时期的波形,...