8种开关电源MOS管的工作损耗计算
MOSFET损耗计算主要包含如下8个部分:PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合,还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。
...抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报
嘉晨智能申请抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报隋代骆驼俑身上出现的老头是古希腊酒神狄俄尼索斯如果把长安平康坊里的青楼取消,唐诗得少一大半唐朝时期中国有多强大?在唐朝文化程度低喝酒容易丢命教授于赓哲:西安到处是古墓,陕西师范大学更被网友称为百墓大刘邦为何定都长安而非洛阳...
MOS管基础及选型指南
关注ID电流,这个值代表了NMOS管的能流过多大电流,反应带负载的能力,超过这个值,MOS管也会损坏。3、功率损耗功率损耗需要关注以下几个参数,包括热阻、温度。热阻指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W,热阻的公式为ThetaJA=(Tj-Ta)/P,和功率和环境温...
MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N0...
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
1)高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在电压为限定条件时,功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小,该器件性能更优,技术更加先进。
如何让MOS管快速开启和关闭
如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好(www.e993.com)2024年9月20日。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢?对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS...
亚成微申请分离栅MOSFET结构及其制备方法专利,专利技术能达到更高...
金融界2024年1月31日消息,据国家知识产权局公告,陕西亚成微电子股份有限公司申请一项名为“一种分离栅MOSFET结构及其制备方法“,公开号CN117476771A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明涉及MOS管领域,具体涉及一种分离栅MOSFET结构及其制备方法。该结构包括衬底;位于衬底上表面的X个依次叠放设置的漂移层;X个...
电源设计MOS管驱动电路
(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。(5)根据情况施加隔离。下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。1、电源IC直接驱动MOSFET图1IC直接驱动MOSFET电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds可以由以下公式确定:公式中MOS管的反馈电容Crss,输入电容Ciss和输出电容Coss的数值在MOS管的手册上可以查到。电容充放电快慢决定MOS管开通和关断的快慢,为确保MOS管状态间转换是线性的和可预知的,外接电容C2并联在Cgd上,如果外接电容C2比MOS管内部栅漏电容...
中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法
Ron的大小决定了器件的通态损耗,并可能影响MOSFET导通电流的能力。在图2中,SiCMOSFET的导通电阻由6个部分组成,RN+是源极扩散电阻,RCH是沟道电阻,RA是累积电阻,RJ是两个体区之间区域的JFET元件电阻,RD是漂移区域电阻,RSub为衬底电阻。高压功率MOSFET导通电阻的主要部分是沟道电阻、JFET电阻和漂移区电阻[25]...