开关模式电源问题分析及其纠正措施:晶体管时序和自举电容问题

当要求的占空比大于允许的最大占空比(由式2给出)时,就会违反最小关断时间规范。如果占空比超过最大值,SMPS将折返其配置的频率,以避免违反最小关断时间规范。这一点可以从图8中看出。器件最初配置为2MHz频率。图8违反最小关断时间的电流波形。频率折返至335kHz图9负载调整和折返频率。随着负载增大,频率会...

告别晶体管迎来忆容器 AI芯片可用电场而非电流执行计算

据科技网站TechCrunch最新报道，总部位于德国的初创公司塞姆龙最新开发出一种创新的AI芯片设计方法，率先使用新的神经网络控制设备——忆容器为其3D芯片供电。这有可能彻底改变节能计算技术，使消费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管，塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容...

常关的n-ZnOp金刚石异质结场效应晶体管,具有凹栅和电流分布层

(a)为参考平面晶体管,(b)为凹槽栅晶体管,(c)为带电流分布层的凹槽栅晶体管。(d)为硼掺杂浓度分别为5×1015cm??3、1×1016cm??3、5×1016cm??3、1×1017cm??3时的电阻率随温度变化。Vth与Tp在不同Cp下的变化如图2a所示。对于特定的Cp,随着Tp的增加,Vth从负值(常关操作)过渡...

什么是哈特利振荡器?案例+公式

电阻R1和R2以正常方式为晶体管提供通常的稳定直流偏置,而电容则充当隔直电容。哈特利振荡器原理图在这个哈特利振荡器电路中,DC集电极电流流过线圈的一部分,因此该电路被称为“串联馈电”,哈特利振荡器的振荡频率为:哈特利振荡器的振荡频率公式LT是总的累积耦合电感,在一般的情况下,LT就是两个电感之和...

中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature

图3.负微分电阻。a.输出特性曲线；b.输出特性中电流的温度依赖性；c.峰值电流偏压与缝隙宽度关系图；d.峰谷电流比；e.峰谷电流比性能对比图。图4.用于多值逻辑计算的热发射极晶体管电路。a.电路光镜图；b.等效电路图；c.集电极电流作为输出的四值数字逻辑反向器；d.集电极电流对应的跨导...

E类功率放大器的负载网络响应和设计方程

峰值开关电流大约为1.7VCC/RL(www.e993.com)2024年11月9日。因此,我们的最大晶体管电压为47.27V,最大晶体管电流为0.41A。总结在下一篇文章中,我们将讨论E类放大器设计方程的基本假设和数学推导。请注意,也可以使用经验推导的公式,例如NathanO.Sokal的开放获取文章“E类射频功率放大器”。这些公式旨在补偿与使用低Q值相关的误差,这些误差会...

还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过

R3限制T1的最大基极电流,最大基极电流可以为:[2.3mA/30]=77μA(因为晶体管的电流增益不会低于30)。R3:[(24v-9v)/77μA]=194k,使用180kΩ。(假设电路由零阻抗电压源驱动,如果不是,则可以从R3中减去源阻抗。)

杰华特获得发明专利授权:“晶体管控制电路及方法”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示杰华特(688141)新获得一项发明专利授权,专利名为“晶体管控制电路及方法”,专利申请号为CN201811142648.7,授权日为2024年8月23日。专利摘要:本发明公开了一种晶体管控制电路及方法,所述晶体管控制电路包括电流设置电路,所述电流设置电路接收第一信号,并输出设置电流;根据所述设置电...

基础知识之晶体管

作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。

可重构晶体管登场,可用于构建有编程功能的芯片电路

一颗CPU固然拥有数十亿个晶体管,但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤,就是为纯的本征半导体引入杂质,从而改变电气属性的过程。掺杂过程决定了电流的流动方向,一旦晶体管被制造出来就无法改变。