为什么要选择反激拓扑结构?
2011年5月12日 - 电子产品世界
可见在理想状态下,三种拓扑的差别并没有体现在初级mosfet的导通损耗上(注意半桥使用了两个功率mosfet),开关管的另一个损耗是开关损耗,公式的推导见EXEL文件。假设开通关断有相同损耗,电感量无穷大,则计算公式如下:反激:正激:半桥:从公式可以看出,在只针对一个输入电压点优化的情况下,反激的开关损耗最大,正激...
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可见在理想状态下,三种拓扑的差别并没有体现在初级mosfet的导通损耗上(注意半桥使用了两个功率mosfet),开关管的另一个损耗是开关损耗,公式的推导见EXEL文件。假设开通关断有相同损耗,电感量无穷大,则计算公式如下:反激:正激:半桥:从公式可以看出,在只针对一个输入电压点优化的情况下,反激的开关损耗最大,正激...