单级小信号 RF 放大器设计
对于硅晶体管,基极和发射极上的压降VBE等于0.7V。基极电压VBB的计算公式为从直流输入电压到晶体管基极的电流为IBB。假设IBB值,则电阻为根据公式R1,可设计电阻R2耦合电容器Cin和CC设计为阻断直流电流,只允许交流电流通过。旁路电容器CE按照公式设计按照上述步骤,就可以设计出一个小信号射频放大器。在...
双极性结型晶体管的开关损耗
当BJT处于饱和(这是开关应用的首选模式)时,VCE约为200mV。我们可以通过假设这些固定值,然后通过标准电路分析技术确定基极和集电极电流,来获得导通损耗的粗略估计。用LTspice估算传导损耗SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信...
Colpitts振荡器原理分析,图文+案例
Colpitts振荡器除了使用双极结型晶体管(BJT)作为振荡器的有源级,我们还可以使用运算放大器(op-amp)。运算放大器Colpitts振荡器的操作与晶体管版本的操作完全相同,其操作频率以相同的方式计算,如下图所示:Colpitts振荡器运算放大器电路要注意,作为反相放大器配置,R2/R1的比率设置放大器增益,启动振荡需要2.9...
集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解
与双极结型晶体管(BJT)需要基极电流来驱动晶体管进入饱和状态不同,常开(增强型)MOSFET需要在其栅极(G)端子上施加合适的电压。MOSFET的源极(S)端子直接连接到地或电源轨,而开漏(D)端子连接到外部负载。将MOSFET(或IGBT)用作漏极开路(OD)器件时,在驱动功率负载或连接到更高电压电源的负载时,遵...
整理分类:晶体管的类型分析
它通过电压调制通道中的电流。其工作电流是由半导体中的大部分载流子传输的。这种只有一种极性载流子参与导电的晶体管也称为单极晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、极限频率高、功耗低、制造工艺简单、温度特性好等特点。广泛应用于各种放大电路、数字电路、微波电路中。
差分时钟驱动器和终端|lv|波形|电平_网易订阅
当VOUT为VCC??0.9525V时,IBJT和IL必须平衡,并且根据LV-PECL规范,该点的电流值必须为20.95mA(www.e993.com)2024年9月11日。为了满足这些特性,调整双极晶体管的尺寸。当该晶体管的基极电压降至VCC-0.8V时,IBJT会跟随一条蓝线。在这种情况下,当VOUT为VCC-1.715V时,IBJT和IL是平衡的,此时的电流值为5.7mA。这样,就满足了LV-PECL的L电平...
基础知识之晶体管
双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETFieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
详解IGBT工作原理,看这一篇就够了!
你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体,IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比,绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益,以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。01什么是IGBTIGBT是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中...
如何监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关
图4.使用NPN双极结型晶体管(Q1)从低电平有效输出驱动P沟道MOSFET(Q2)图5.正常运行时的电流——系统处于活动状态图6.系统不活动期间的电流流动——发生电源循环如图5所示,NPN双极结型晶体管的集电极引脚连接到高端MOSFET两端的电阻分压器。由于NPN双极结型晶体管处于关断状态,电阻分压器结点和栅极上的电压将大致...
半导体芯片,到底是如何工作的?
1906年,美国科学家德·福雷斯特(DeForestLee)在真空二极电子管里,巧妙地加了一个栅板(“栅极”),发明了真空三极电子管。德·福雷斯特发明的三极管加了栅极之后,当栅极的电压为正,它就会吸引更多阴极发出的电子。大部分电子穿过栅极,到达阳极,将大大增加阳极上的电流。