霍尔效应及其非线性修正(图)
式中KH——霍尔灵敏度IH——霍尔传感器驱动电流;B——磁感应强度;Cosθ——元件平面法线与B的夹角;Ke———不平衡系数。KeIH=UHe称为不平衡电压,(UHe/UH))×100%称为不平衡率,设其为Re。一般霍尔元件的Re为±10%左右。KH和由被检电流产生的B均为非线性因素。消除不平衡电压和改善的非线性度的电路...
硬菜:电机是怎么转起来的?|磁场|铁芯|全波|线圈|转子_网易订阅
霍尔元件利用了“当电流IH流过半导体并且磁通B与电流成直角穿过时,会在垂直于电流和磁场的方向上产生电压VH”的这种现象,美国物理学家EdwinHerbertHall(埃德温·赫伯特·霍尔)发现了这种现象并将其称为“霍尔效应”。产生的电压VH由下列公式表示。VH=(KH/d)??IH??B※KH:霍尔系数,d:磁通穿透面的厚...
拓扑量子材料简介
其中,IQHE是整数量子霍尔效应,FQHE是分数量子霍尔效应,QAHE是量子反常霍尔效应,QSHE是量子自旋霍尔效应,TI是拓扑绝缘体,TCI是拓扑晶体绝缘体,WSM是外尔半金属,TNLSM是拓扑节点线半金属,HOTI是高阶拓扑绝缘体,HOTSM是高阶拓扑半金属,TKI是拓扑近藤绝缘体本文将介绍几类典型的拓扑材料及其相关物理,然后介...
如何判断霍尔元件的好坏_怎么测试霍尔元件好坏(万用表)
在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH=RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。2、霍尔灵敏度KH(又称霍尔乘积灵敏度)霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔...
霍尔传感器在电动机车测速中的应用
1.霍尔效应在一块半导体薄片上,其长度为l,宽度为b,厚度为d,当它被置于磁感应强度为B的磁场中,如果在它相对的两边通以控制电流I,且磁场方向与电流方向正交,则在半导体另外两边将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B乘积成正比的电势UH,即UH=KHIB,其中kH为霍尔元件的灵敏度。该电势称为霍尔电势,半导体薄片就...
霍尔传感器应用于采集与显示信号系统中的设计方案
B=0处作为位移x的参考原点,则x=O时,B=O,UH=O(www.e993.com)2024年10月26日。当它们中间的霍尔元件移动到x处时,UH大小由x处的B决定。由公式UH=KHIB可知:保持I不变,则dUH/dx=IKHdB/dx=KHI=K,积分后得UH=Kx,即霍尔电势与位移成比例。磁场梯度越大,灵敏度越高,磁场变化越均匀,UH和x的线性越好。